単結晶磁気抵抗素子、その製造方法及びこれを用いたデバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-041147
公開番号（公開出願番号）：特開2018-148006
出願日： 2017年03月03日
公開日（公表日）： 2018年09月20日
要約：

【課題】ホイスラー合金を用いた単結晶巨大磁気抵抗素子を実デバイスへ応用するための量産性と低価格化を実現するのに必要とされる基幹的な単結晶磁気抵抗素子を提供すること。【解決手段】本発明の単結晶磁気抵抗素子は、シリコン基板11と、このシリコン基板11に積層されたB2構造の下地層12と、当該B2構造の下地層12に積層された拡散防止層12Aと、この拡散防止層12Aに積層された第1の非磁性層13と、下部強磁性層14及び上部強磁性層16、並びに当該下部強磁性層14と当該上部強磁性層16の間に設けられた第2の非磁性層15を有する積層体層を少なくとも一つ有する巨大磁気抵抗効果層17と、を備える【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、このシリコン基板に積層されたB2構造の下地層と、当該B2構造の下地層に積層された拡散防止層と、この拡散防止層に積層された第1の非磁性層と、下部強磁性層及び上部強磁性層、並びに当該下部強磁性層と当該上部強磁性層の間に設けられた第2の非磁性層を有する積層体層を少なくとも一つ有する巨大磁気抵抗効果層と、を備えることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 43/10 , H01L 43/08 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , G11B 5/39

FI (6件)：

H01L43/10 , H01L43/08 Z , H01L43/08 M , H01F10/16 , H01F10/32 , G11B5/39

Fターム (22件)：

5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA06 , 5D034BA21 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA30 , 5E049CB01 , 5E049DB12 , 5F092BB04 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB22 , 5F092BB24 , 5F092BB31 , 5F092BB42 , 5F092BB44 , 5F092BE11 , 5F092BE21 , 5F092BE27 , 5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-060020 出願人：富士通株式会社
特許第6503405号
磁気記録媒体及び磁気記憶装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-571860 出願人：富士通株式会社

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