特許
J-GLOBAL ID：201803016192050609

SiC単結晶成長方法、SiC単結晶成長装置及びSiC単結晶インゴット

発明者：
古谷 優貴

古谷 優貴 について

, 
山田 正徳

山田 正徳 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について

, 
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  荒 則彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-227172
公開番号（公開出願番号）：特開2018-083733
出願日： 2016年11月22日
公開日（公表日）： 2018年05月31日
要約：
【課題】結晶成長初期のガス雰囲気が安定しないことに起因する欠陥発生を防止することができるSiC単結晶の成長方法および成長装置の提供。【解決手段】SiC単結晶成長装置において、成長初期は、熱伝達物質を含む熱伝達部3と、単結晶Sの結晶成長面Saと反対側の裏面Sbとが接触していない非接触状態として熱伝達を抑制し、結晶Sを高温にすることにより単結晶Sの結晶成長面Saの一部を昇華、即ち、エッチングして結晶成長初期に発生する欠陥を除去するとともに、エッチングの後は、熱伝達部3を単結晶Sに向けて摺動し、単結晶Sの裏面Sbと熱伝達部3とを接触させ、単結晶Sを原料ガスgが再結晶化できる程度に冷却し、単結晶Sのエッチング面Sa’に単結晶を結晶成長させるSiC単結晶成長方法及び成長装置。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
SiC単結晶が結晶成長する成長面に対する裏面におけるArより熱伝達性の高い熱伝達物質の接触状態を、結晶成長の過程において変化させるSiC単結晶成長方法。
IPC (1件)：
C30B 29/36
FI (1件)：
C30B29/36 A
Fターム (13件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EB06 ,  4G077EG20 ,  4G077EG24 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA08 ,  4G077SA12
引用特許：
審査官引用 (6件)
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