特許
J-GLOBAL ID：201803016734200173
自立基板の製造方法および自立基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-238738
公開番号（公開出願番号）：特開2015-098413
特許番号：特許第6250368号
出願日： 2013年11月19日
公開日（公表日）： 2015年05月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化物半導体からなる下地基板を準備する工程と、
前記下地基板上に炭素を不純物として導入しながら第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第1の窒化物半導体層の上に、厚さが50μm以上である第2の窒化物半導体層を形成する工程とを含み、
含有される炭素の濃度が、前記下地基板から厚み方向に遠ざかるにつれて連続的に高くなるように前記第1の窒化物半導体層を形成する自立基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C30B 33/00 ( 200 6.01)
, C30B 25/16 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
C30B 29/38 D
, C30B 33/00
, C30B 25/16
, H01L 21/205
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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