特許
J-GLOBAL ID：200903098269412807

GaN基板の製造方法

発明者：
三木 修

三木 修 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-053414
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252219
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【目的】反りが小さく、結晶欠陥の非常に少ないGaN基板の製造方法を提供する。【構成】窒化物半導体と異なる異種基板上にラテラル成長によるGaNを含む第1の窒化物半導体層を成長させる第1の工程と、その上に第2の窒化物半導体を成長させる第2の工程と、第2の工程後、少なくとも異種基板までを除去する第3の工程と、第3の工程後、第2の窒化物半導体の上に第3の窒化物半導体を成長させる第4の工程とを有することを特徴とするGaN基板の製造方法。
請求項（抜粋）：
GaN基板上に窒化物半導体を積層して窒化物半導体素子となるGaN基板の製造方法であって、窒化物半導体と異なる異種基板上にラテラル成長によるGaNを含む第1の窒化物半導体層を成長させる第1の工程と、その上に第2の窒化物半導体を成長させる第2の工程と、第2の工程後、少なくとも異種基板までを除去する第3の工程と、第3の工程後、第2の窒化物半導体の上に第3の窒化物半導体を成長させる第4の工程とを有することを特徴とするGaN基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/01 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/00 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
Fターム (57件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA08 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB04 ,  5F045AA04 ,  5F045AA07 ,  5F045AB14 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DB02 ,  5F045HA12 ,  5F052KA01 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (7件)
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