特許
J-GLOBAL ID:201803016890755282

レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-195187
公開番号(公開出願番号):特開2014-089440
特許番号:特許第6295046号
出願日: 2013年09月20日
公開日(公表日): 2014年05月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】 式(a4)で表される構造単位及び式(a5)で表される構造単位を含む樹脂、 式(a4)で表される構造単位を含まず、酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂、 酸発生剤及び 式(II)で表される塩を含むレジスト組成物。 [式(a4)中、 R3は、水素原子又はメチル基を表す。 R4は、炭素数1〜24のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。] [式(a5)中、 R12は、水素原子又はメチル基を表す。 環W3は、炭素数6〜10の炭化水素環を表す。] [式(II)中、 RBは、単結合を表す。 RCは、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、カルボニル基に置き換っていてもよい。 Z3+は、有機スルホニウムカチオンを表す。]
IPC (3件):
G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/038 ( 200 6.01)
FI (3件):
G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/038 601
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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