成膜装置、成膜方法及び金属酸化物薄膜の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：大森純一 , 折居章
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-212676
公開番号（公開出願番号）：特開2015-074812
特許番号：特許第6230184号
出願日： 2013年10月10日
公開日（公表日）： 2015年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】真空チャンバと、前記真空チャンバの内部に導入された、反応性ガスを含むプロセスガスを排気する真空ポンプを含む排気ラインと、前記真空チャンバと前記真空ポンプとの間における前記排気ラインに接続され、前記プロセスガスを導入するためのガス導入ラインと、前記排気ラインと前記ガス導入ラインとの接続点と前記真空チャンバとの間に配置され、前記真空ポンプによる前記真空チャンバの排気速度と前記ガス導入ラインから前記真空チャンバへ導入される前記プロセスガスの流量とを制御可能な制御弁とを具備する成膜装置。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) , H01L 21/8239 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01) , H01L 45/00 ( 200 6.01) , H01L 49/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 14/34 M , H01L 27/105 448 , H01L 45/00 Z , H01L 49/00 Z

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-246960 出願人：三菱重工業株式会社, ニユークリア・デベロップメント株式会社, 旭硝子株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-080301 出願人：株式会社アルバック
ガス制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-182149 出願人：株式会社日立製作所

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