特許
J-GLOBAL ID：201103059900320556
反応性スパッタリング方法及び反応性スパッタリング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
岡部 讓
, 岡部 正夫
, 加藤 伸晃
, 朝日 伸光
, 三山 勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-253640
公開番号（公開出願番号）：特開2011-149091
出願日： 2010年11月12日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：
【課題】連続基板処理時の温度の変動による膜質変化を抑制すること。【解決手段】本発明の一実施形態では、スパッタ空間に臨む構造部材の温度に応じて、反応性ガスの流量を調整しながら、反応性スパッタリングを行う。具体的にはシールド120に温度センサ121を設け、温度に応じた流量に調整する。これにより、シールドに付着した膜の脱ガス量が変化しても、反応性ガスの分圧を所定にできる。ReRAMを構成する抵抗変化層、PrCaMnO3(PCMO)、LaSrMnO3(LSMO)、GdBaCoxOy(GBCO)等のペロブスカイト材料や、ニッケル酸化物(NiO)、バナジウム酸化物(V2O5)等の化学量論からずれた組成を有する2元系の遷移金属酸化物材料等が扱われている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
成膜処理室内に配置されたターゲットをスパッタし、該成膜処理室内に反応性ガスを供給して、反応性スパッタリングにより前記成膜処理室内に配置された被処理基板上に成膜物を形成する反応性スパッタリング方法であって、
前記成膜処理室内に設けられた、スパッタ空間に臨む構成部材の温度を測定する工程と、
前記測定された温度の上昇に応じて、前記成膜処理室内に供給される反応性ガスの流量を低減させるように前記反応性ガスの流量を調整しながら、前記反応性スパッタリングを行う工程と
を有することを特徴とする反応性スパッタリング方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
C23C14/34 U
, H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA43
, 4K029BC05
, 4K029BD01
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC34
, 4K029DC39
, 4K029EA03
, 4K029EA04
, 4K029JA02
, 5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083PR22
