特許
J-GLOBAL ID：201803017851862230
フォトマスクブランク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
, 正木 克彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-253239
公開番号（公開出願番号）：特開2015-111212
特許番号：特許第6229466号
出願日： 2013年12月06日
公開日（公表日）： 2015年06月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透明基板上にフォトマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、
上記フォトマスクが、波長が250nm以下の露光光を用いて線幅が0.1μm以下のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィに用いるフォトマスクであり、
上記フォトマスクブランクが、透明基板と、該透明基板上に、直接又は1若しくは2以上の他の膜を介して形成されたCr含有膜とを含み、
該Cr含有膜が、1又は2以上の層で構成され、
該層の少なくとも1つがCrC化合物層であり、該CrC化合物層が、遮光膜であり、Crと、O及び/又はNと、Cとを、Crが50原子%以下、OとNとの合計が25原子%以上、かつCが16原子%以上の含有率で含有することを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (3件)：
G03F 1/54 ( 201 2.01)
, G03F 1/26 ( 201 2.01)
, G03F 1/58 ( 201 2.01)
G03F 1/54
, G03F 1/26
, G03F 1/58
