特許
J-GLOBAL ID：201303083897670632
微細パターンを有するガラス構造体の製造方法及び微細パターンを有するガラス構造体、並びにインプリント用モールド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-026615
公開番号（公開出願番号）：特開2013-165127
出願日： 2012年02月09日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：
【課題】インプリント用モールド等に使用されるガラス構造体の製造において微細パターンを高いパターン精度で形成することができるガラス構造体の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板上にフッ素系ガスでエッチング可能な材料の下層及びCr又はCr化合物の上層を形成したガラス構造体用ブランクを用いて、塩素系ガスによるエッチングで上層パターンを形成し、フッ素系ガスによるエッチングで下層パターンを形成し、フッ素系ガスによるエッチングでガラス基板の表面に掘り込み部を形成し、塩素系ガスで上層パターンを除去し、フッ素系ガスで下層パターンを除去するとともに、掘り込み部が形成された基板を更にエッチングして微細パターンを形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガラス基板の表面に微細パターンが形成されたガラス構造体の製造方法において、
ガラス基板上に、フッ素系エッチャントによりエッチング可能な材料からなる下層、及びクロム(Cr)又はクロム(Cr)化合物からなる上層を含む薄膜を形成したガラス構造体用ブランクを用意する工程と、
前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを含む第1のエッチャントを用いて前記上層をエッチングすることにより、上層パターンを形成する工程と、
少なくとも前記上層パターンをマスクとして、フッ素系ガス又は塩素系ガスを含む第2のエッチャントを用いて前記下層をエッチングすることにより、下層パターンを形成する工程と、
少なくとも前記下層パターンをマスクとして、フッ素系ガスを含む第3のエッチャントを用いて、前記ガラス基板をエッチングすることにより、前記ガラス基板の表面に掘り込み部を形成する工程と、
第4のエッチャントを用いて、前記上層パターンを除去する工程と、
フッ素系の第5のエッチャントを用いて、前記下層パターンを除去するとともに、前記掘り込み部が形成された前記ガラス基板の表面を更にエッチングすることにより、前記微細パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする微細パターンを有するガラス構造体の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
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