特許
J-GLOBAL ID：200903061544721105
位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
大野 聖二
, 森田 耕司
, 片山 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-211941
公開番号（公開出願番号）：特開2007-033469
出願日： 2005年07月21日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】 微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたハーフトーン型位相シフトマスクおよびこれを作製するためのマスクブランクを提供すること。【解決手段】 フォトマスク基板としての石英などの透明基板11の一方主面上に、露光光に対して所定の位相シフト量および透過率を有する半透明膜15と、この半透明膜15上に設けられた遮光性膜12とが設けられている。遮光性膜12は、いわゆる「遮光性膜」であることは勿論、反射防止膜をも兼ねる膜とすることができる。半透明膜15はその吸収体材料が、シリコン(Si)とモリブデン(Mo)の双方を含有するハーフトーン材料であるハーフトーン位相シフト層である。ハーフトーン型位相シフトマスクブランクをArF露光用のマスク作製用とする場合には、遮光性膜12の光学濃度ODが、波長193nmまたは248nmの光に対して1.2〜2.3の範囲の値となるように膜厚と組成が選択される。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
透明基板上に、露光光に対して所定の位相シフト量および透過率を有する半透明膜と、該半透明膜上に設けられた遮光性膜と、を備えたハーフトーン型位相シフトマスクブランクであって、
前記半透明膜はシリコン(Si)とモリブデン(Mo)の双方を含有する領域を有し、前記遮光性膜の厚みは60nm以下である、ことを特徴とする位相シフトマスクブランク。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, C23C 14/06
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
, C23C14/06 P
, C23C14/06 N
2H095BB03
, 2H095BC05
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA41
, 4K029BA43
, 4K029BA54
, 4K029BA58
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC05
, 4K029DC16
, 4K029DC34
, 4K029EA01
, 4K029JA02
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (8件)
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