特許
J-GLOBAL ID:201803018298998973
接着剤部付き分割後半導体ウェハ、及び半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-229089
公開番号(公開出願番号):特開2018-085483
出願日: 2016年11月25日
公開日(公表日): 2018年05月31日
要約:
【課題】接着剤部の分割不良の発生を効果的に抑制することができる接着剤部付き分割後半導体ウェハを提供する。【解決手段】本発明に係る接着剤部付き分割後半導体ウェハは、先ダイシング法により個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェハと、前記分割後半導体ウェハの表面上に積層された接着剤部とを備え、前記接着剤部の前記分割後半導体ウェハ側とは反対側の表面において、前記接着剤部は、隣り合う前記半導体チップの隙間に対応する位置に凹部を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
先ダイシング法により個々の半導体チップに分割されている分割後半導体ウェハと、
前記分割後半導体ウェハの表面上に積層された接着剤部とを備え、
前記接着剤部の前記分割後半導体ウェハ側とは反対側の表面において、前記接着剤部は、隣り合う前記半導体チップの隙間に対応する位置に凹部を有する、接着剤部付き分割後半導体ウェハ。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L21/52 G
, H01L21/52 A
Fターム (12件):
5F047BB11
, 5F047BB19
, 5F047FA21
, 5F063AA04
, 5F063CB02
, 5F063CB05
, 5F063CB06
, 5F063CB24
, 5F063CC25
, 5F063DD26
, 5F063DD64
, 5F063DD69
引用特許:
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