特許
J-GLOBAL ID：201203070187787105
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-022621
公開番号（公開出願番号）：特開2012-164739
出願日： 2011年02月04日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：
【課題】個片化されたチップ領域を有する半導体ウエハに形成した接着剤層の切断性を高めると共に、接着剤層の切断屑等による半導体チップの汚染等を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態において、第1の面3aに貼付された表面保護フィルム4でウエハ形状が維持された半導体ウエハ3に液状接着剤を塗布して接着剤層7を形成する。半導体ウエハ3の第2の面3aに粘着層8を有する支持シート9を貼付する。表面保護フィルム4を剥離した後、支持シート9を引き伸ばしてダイシング溝1内に充填された接着剤を含む接着剤層7を割断する。支持シート9の引き伸ばし状態を維持しつつ洗浄する。粘着層8のダイシング溝1に対応する部分の粘着力を、洗浄工程前に選択的に低下させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ダイシング溝により個片化された複数のチップ領域を有し、素子形成面である第1の面に貼付された表面保護フィルムでウエハ形状が維持された半導体ウエハを用意する工程と、
液状接着剤を、前記ダイシング溝の少なくとも一部に充填しつつ、前記半導体ウエハの前記第1の面とは反対側の第2の面に塗布して接着剤層を形成する工程と、
粘着力を低下させることが可能な粘着層を有する支持シートを、前記半導体ウエハの前記第2の面に前記接着剤層を介して貼付する工程と、
前記半導体ウエハから前記表面保護フィルムを剥離した後、前記支持シートを引き伸ばして前記ダイシング溝内に充填された接着剤を含めて前記接着剤層を割断する工程と、
前記支持シートを引き伸ばした状態を維持しつつ、前記半導体ウエハの第1の面と前記ダイシング溝内を洗浄する工程とを具備し、
前記洗浄工程の前に、前記粘着層の前記ダイシング溝に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/52
, H01L 21/301
, H01L 21/683
H01L21/52 G
, H01L21/78 W
, H01L21/78 P
, H01L21/68 N
5F031CA02
, 5F031CA13
, 5F031MA22
, 5F031MA34
, 5F031MA35
, 5F031MA39
, 5F047AA19
, 5F047BA22
, 5F047BB11
, 5F047CB01
, 5F047FA05
, 5F047FA22
