特許
J-GLOBAL ID：201803018584698375

表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

, 
三宅 博之

三宅 博之 について

, 
桑原 秀明

桑原 秀明 について

, 
立石 真理

立石 真理 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-140811
公開番号（公開出願番号）：特開2018-182339
出願日： 2018年07月27日
公開日（公表日）： 2018年11月15日
要約：
【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第1の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
画素部に含まれる第1の薄膜トランジスタと、駆動回路用の第2の薄膜トランジスタと、を有し、 前記第1の薄膜トランジスタ及び前記第2の薄膜トランジスタのそれぞれは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、 前記第1の薄膜トランジスタ上方及び前記第2の薄膜トランジスタ上方の窒化珪素膜と、 前記窒化珪素膜上方の平坦化絶縁層と、 前記平坦化絶縁層上方の画素電極と、 前記画素電極上方の無機絶縁膜と、を有し、 前記画素電極は、前記第1の薄膜トランジスタと電気的に接続され、 前記第2の薄膜トランジスタは、前記窒化珪素膜及び前記平坦化絶縁膜のそれぞれと重なる第1の領域を有し、 前記第1の領域は、前記無機絶縁膜と重なっていない表示装置。
IPC (10件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/134 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H01L 27/32 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/12 ,  G09F 9/30
FI (12件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612B ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H01L27/32 ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/12 B ,  G09F9/30 338
Fターム (122件)：
2H092GA13 ,  2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB05 ,  2H092JB46 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA08 ,  2H092NA24 ,  2H092NA29 ,  2H092QA09 ,  2H192AA24 ,  2H192BA25 ,  2H192BC24 ,  2H192BC26 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB71 ,  2H192CC22 ,  2H192DA12 ,  2H192DA43 ,  2H192EA67 ,  2H192EA74 ,  2H192FB03 ,  2H192FB15 ,  2H192JA13 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC35 ,  3K107CC36 ,  3K107CC45 ,  3K107DD89 ,  3K107DD90 ,  3K107DD95 ,  3K107EE04 ,  5C094AA05 ,  5C094AA10 ,  5C094AA21 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094HA06 ,  5C094HA07 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10 ,  5F110AA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM