表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-016057
公開番号（公開出願番号）：特開2008-211192
出願日： 2008年01月28日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】駆動回路領域においては、高速動作が可能で駆動電圧の低い薄膜トランジスタを、一方画素領域においては、高耐圧で信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することを目的とする。従って、低消費電力かつ高信頼性を付与された表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた画素領域及び駆動回路領域を有し、画素領域及び駆動回路領域にそれぞれ薄膜トランジスタを有しており、駆動回路領域に設けられた薄膜トランジスタの半導体層はチャネル形成領域のみ局所的に薄膜化され、そのチャネル形成領域の膜厚は、画素領域に設けられた薄膜トランジスタの半導体層のチャネル形成領域の膜厚より薄い表示装置とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に画素領域及び駆動回路領域を有し、前記画素領域に、第1のゲート電極層、第1のソース領域、第1のドレイン領域、及び第1のチャネル形成領域を含む第1の半導体層、並びに第1のゲート絶縁層を含む第1の薄膜トランジスタと、前記駆動回路領域に、第2のゲート電極層、第2のソース領域、第2のドレイン領域及び、前記第1のチャネル形成領域より膜厚の薄い第2のチャネル形成領域を含む第2の半導体層、並びに第2のゲート絶縁層を含む第2の薄膜トランジスタとを有し、前記第2のチャネル形成領域は、前記第2の半導体層において局所的に薄膜化された領域であることを特徴とする表示装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/08 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (6件)：

H01L29/78 618D , H01L27/08 102B , H01L27/08 331E , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H01L29/78 612B

Fターム (127件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA33 , 2H092JA34 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JB44 , 2H092JB56 , 2H092NA21 , 2H092NA25 , 2H092NA29 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC12 , 3K107CC21 , 3K107EE04 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BB02 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB16 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG07 , 5F048DA25 , 5F110AA01 , 5F110AA09 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE32 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG39 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM02 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び液晶ディスプレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-176489 出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (4件)

表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-024980 出願人：株式会社日立製作所
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-294475 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-202376 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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