マスク、計測方法、露光方法、及び、物品製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：阿部琢磨 , 黒岩創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-139791
公開番号（公開出願番号）：特開2018-010211
出願日： 2016年07月14日
公開日（公表日）： 2018年01月18日
要約：

【課題】複数ショット領域を露光した後のつなぎ領域における複数ショット領域の相対位置ずれを計測するためのマスク及び計測方法を提供する。【解決手段】基板上に露光される第1ショット領域の位置と第1ショット領域の一部につなぎ領域を設けて露光される第2ショット領域の位置とのずれを計測するための第1、第2マークを有するマスクであって、第1マークは第1ショット領域内のつなぎ領域に露光されるマークであり、第1減光領域と第1減光領域の光透過率とは異なる光透過率の第1領域を有し、第2マークは第2ショット領域内のつなぎ領域に第1マークと重ね合わせて露光されるマークであり、第2減光領域と第2減光領域の光透過率とは異なる光透過率の第2領域を有し、第1、第2マークを重ねた場合に第1マークの第1領域の境界が第2マークの第2減光領域にあり、第2マークの第2領域の境界が第1マークの第1減光領域にある。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

基板上に露光される第1ショット領域の位置と、前記第1ショット領域の一部につなぎ領域を設けて露光される第2ショット領域の位置と、のずれを計測するための第1マーク及び第2マークを有するマスクであって、前記第1マークは、前記第1ショット領域内の前記つなぎ領域に露光されるマークであり、第1減光領域と、前記第1減光領域の光透過率とは異なる光透過率の第1領域と、を有し、前記第2マークは、前記第1マークとは異なり、前記第2ショット領域内の前記つなぎ領域に前記第1マークと重ね合わせて露光されるマークであり、第2減光領域と、前記第2減光領域の光透過率とは異なる光透過率の第2領域と、を有し、前記第1マークおよび第2マークを重ねた場合に、前記第1マークの第1領域の境界が前記第2マークの第2減光領域にあり、前記第2マークの第2領域の境界が前記第1マークの第1減光領域にある、ことを特徴とするマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/44 , G03F 7/20 , H01L 21/68

FI (4件)：

G03F1/44 , G03F7/20 501 , G03F7/20 521 , H01L21/68 F

Fターム (30件)：

2H195BB02 , 2H195BC09 , 2H195BE06 , 2H197AA09 , 2H197AB02 , 2H197BA11 , 2H197CA05 , 2H197CE10 , 2H197DB10 , 2H197HA03 , 2H197HA05 , 2H197HA06 , 2H197JA18 , 2H197JA23 , 5F131AA03 , 5F131AA32 , 5F131BA13 , 5F131CA18 , 5F131CA32 , 5F131DA02 , 5F131DA09 , 5F131EA02 , 5F131EA22 , 5F131FA17 , 5F131KA15 , 5F131KA44 , 5F131KA72 , 5F131KB06 , 5F131KB07 , 5F131KB53

引用特許：

審査官引用 (4件)

露光方法及びこの方法を用いた露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-146635 出願人：ソニー株式会社
露光装置及びデバイス露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-225238 出願人：キヤノン株式会社
マスクおよび半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-065382 出願人：株式会社東芝

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