特許
J-GLOBAL ID：201303072253484747
マスクおよび半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
池上 徹真
, 須藤 章
, 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-065382
公開番号（公開出願番号）：特開2013-195912
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【目的】露光光の解像限界未満の寸法でパターンを形成する技術を用いてマークパターンを形成する場合でも、光学式顕微鏡で計測可能なマークパターンを形成することが可能なフォトマスクを提供する。【構成】実施形態のフォトマスク20は、マークパターン10と、ラインアンドスペースパターン12と、を備える。マークパターンは、半導体装置を形成するための実効領域とは異なる位置に配置される。ラインアンドスペースパターンは、前記マークパターンの周囲に配置され、前記マークパターンよりもサイズ及びピッチが小さく形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体装置を形成するための実効領域とは異なるマーク領域内に配置されたマークパターンと、
前記マーク領域内であって前記マークパターンの周囲に配置された、前記マークパターンよりもサイズ及びピッチが小さいラインアンドスペースパターンと、
を備え、
前記マークパターン内に、補助パターンが形成され、
前記実効領域内には、半導体装置を形成するための回路用のラインアンドスペースパターンが形成され、
前記マークパターンの周囲に配置されたラインアンドスペースパターンは、前記回路用のラインアンドスペースパターンと略同一のサイズ及びピッチで形成されていることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (3件)：
2H095BA01
, 2H095BE03
, 2H095BE09
