特許
J-GLOBAL ID：201803019037974631

TFT-LCDアレイ基板の製造方法、液晶パネル、液晶表示装置。

発明者：
柴立

柴立 について


出願人/特許権者：
深▲せん▼市華星光電技術有限公司

深▲せん▼市華星光電技術有限公司 について


代理人 (2件)： 米田 耕一郎 ,  鈴木 征四郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-543289
特許番号：特許第6293905号
出願日： 2013年10月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ステップ(a)において、ガラス基板にゲートと、ゲート絶縁層と、アモルファスシリコン層及びオーミック接触層とによって構成する活性層と、前記活性層上のソースとドレインと、不動態化層と、前記ドレイン上方に位置する不動態化層バイアホールとを形成し、 ステップ(b)において、前記ステップ(a)を完成させたガラス基板上に導電薄膜を蒸着し、前記導電薄膜上にフォトレジストを塗布し、 ステップ(c)において、導電薄膜マスクと紫外線を利用して前記導電薄膜上の前記フォトレジストを露光し、このとき、前記導電薄膜マスクは、グレイトーンマスク、ハーフトーンマスクおよびシングルスリットマスクから選択されるいずれかであり、 TFTエリアにおいては、不動態化層バイアホール内およびその周辺の前記フォトレジストは露光せず、TFTエリアのその他の領域は完全に露光し、 画素エリアにおいては、最終的に残したい前記導電電極の上の前記フォトレジストは露光せず、一方、前記最終的に残したい前記導電電極の間のギャップ部分の上の前記フォトレジストについては紫外線の干渉と回折の効果によって不十分な露光とし、 ステップ(d)において、TFTエリアにおいては、前記不動態化層バイアホールの外側において前記フォトレジストを除去し、 かつ、前記画素エリアにおいては、前記最終的に残したい前記導電電極の間のギャップ部分で前記導電電極が露出するように一部の前記フォトレジストを除去し、 ステップ(e)において、前記画素エリアにおいて前記最終的に残したい前記導電電極の間のギャップ部分で残っている前記フォトレジストをドライエッチングを利用して除去し、 ステップ(f)において、前記ステップ(d)と前記ステップ(e)で露出した前記導電電極をウエットエッチングで除去して、前記導電電極の間の前記ギャップ部分が1.9マイクロメートル以下になるようにし、 ステップ(g)において、除去していないフォトレジストを剥離して導電電極を形成し、かつ前記導電電極と前記不動態化層バイアホールとを接続する ことを特徴とするTFT-LCDアレイ基板の製造方法。
IPC (5件)：
G02F 1/1368 ( 200 6.01) ,  G09F 9/00 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (6件)：
G02F 1/136 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 627 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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