特許
J-GLOBAL ID：201803019730317253

メモリシステム及びそれのブロック複写方法

発明者：
尹 翔▲ヨン▼

尹 翔▲ヨン▼ について

, 
朴 起台

朴 起台 について

, 
韓 真晩

韓 真晩 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 阿部 達彦 ,  実広 信哉 ,  崔 允辰 ,  木内 敬二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-267028
公開番号（公開出願番号）：特開2013-120619
特許番号：特許第6262426号
出願日： 2012年12月06日
公開日（公表日）： 2013年06月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 不揮発性メモリ装置の動作方法において、 前記不揮発性メモリ装置の内でM(3以上の整数)-ビット不揮発性メモリセルの第1部分から読み出されたMページにエラー訂正動作を遂行する段階と、 アドレススクランブル再プログラミング技術を利用してエラー訂正されたデータの前記Mページを、前記不揮発性メモリ装置内のM-ビット不揮発性メモリセルの第2部分にプログラムする段階と、を含み、 前記アドレススクランブル再プログラミング技術は複数のプログラム状態の各々に複数のM-ビット不揮発性メモリセルをプログラミングし、その後に前記複数のプログラム状態の各々が変化しないように維持する ことを特徴とする駆動方法。
IPC (3件)：
G11C 11/56 ( 200 6.01) ,  G11C 16/04 ( 200 6.01) ,  G06F 11/10 ( 200 6.01)
FI (3件)：
G11C 11/56 210 ,  G11C 16/04 170 ,  G06F 11/10 672
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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