特許
J-GLOBAL ID：201803019774945456

発光素子及びそれを含む発光素子アレイ

発明者：
イ,コンファ

イ,コンファ について

, 
チェ,ビョンキョン

チェ,ビョンキョン について


出願人/特許権者：
エルジー イノテック カンパニー リミテッド

エルジー イノテック カンパニー リミテッド について


代理人 (14件)： 小野 誠 ,  金山 賢教 ,  重森 一輝 ,  安藤 健司 ,  市川 英彦 ,  青木 孝博 ,  櫻田 芳恵 ,  川嵜 洋祐 ,  五味渕 琢也 ,  今藤 敏和 ,  飯野 陽一 ,  市川 祐輔 ,  森山 正浩 ,  岩瀬 吉和
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-529607
公開番号（公開出願番号）：特表2018-501650
出願日： 2015年12月24日
公開日（公表日）： 2018年01月18日
要約：
実施例は、第1導電型半導体層、前記第1導電型半導体層上の活性層、及び前記活性層上の第2導電型半導体層を含む発光構造物;前記第1導電型半導体層の一部の領域に配置される第1電極;前記第1電極、前記第1導電型半導体層、前記活性層、及び前記第2導電型半導体層の一部の領域上に配置され、DBR構造の絶縁層;及び前記第2導電型半導体層上に配置される第2電極を含み、前記第1電極は、第1面上で前記絶縁層と接触し、前記第1面と対向する第2面で露出する、発光素子を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層、前記第1導電型半導体層上の活性層、及び前記活性層上の第2導電型半導体層を含む発光構造物と、 前記第1導電型半導体層の一部の領域に配置される第1電極と、 前記第1電極、前記第1導電型半導体層、前記活性層、及び前記第2導電型半導体層の一部の領域上に配置され、DBR構造の絶縁層と、 前記第2導電型半導体層上に配置される第2電極とを含み、 前記第1電極は、第1面上で前記絶縁層と接触し、前記第1面と対向する第2面で露出する、発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/36 ,  H01L 33/62 ,  H01L 33/10
FI (3件)：
H01L33/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/10
Fターム (24件)：
5F142AA56 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CA13 ,  5F142CB03 ,  5F142CB18 ,  5F142CD02 ,  5F142CD17 ,  5F142CD24 ,  5F142GA02 ,  5F241AA47 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA13 ,  5F241CA40 ,  5F241CA65 ,  5F241CA74 ,  5F241CA77 ,  5F241CA88 ,  5F241CA91 ,  5F241CB11 ,  5F241CB15 ,  5F241CB25 ,  5F241FF02
引用特許：
審査官引用 (10件)
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