特許
J-GLOBAL ID:201803020384917026

配線基板および半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 特許業務法人明成国際特許事務所 ,  小松 茂久
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-168502
公開番号(公開出願番号):特開2015-037131
特許番号:特許第6258630号
出願日: 2013年08月14日
公開日(公表日): 2015年02月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 セラミックス層と、 前記セラミックス層の厚さ方向の一端に位置する第1表面に配置されている第1表面電極と、 前記セラミックス層の厚さ方向の他端に位置する第2表面に配置されている第2表面電極と、 前記セラミックス層の内部に配置され、前記第1表面電極と前記第2表面電極とに接触し、互いに同じ第1抵抗値を有する少なくとも2つのビアを有する第1ビア群と、 を備える配線基板であって、 前記第1表面電極において、前記第1ビア群のうちの隣り合う2つのビアと接触する2つの接触部の間は、第2抵抗値を有し、 前記第2表面電極において、前記第1ビア群のうちの隣り合う2つのビアと接触する2つの接触部の間は、第3抵抗値を有し、 (前記第1抵抗値)/(前記第2抵抗値)>10と、(前記第1抵抗値)/(前記第3抵抗値)>10とのうち、少なくとも一方を満たすこと、 を特徴とする配線基板。
IPC (4件):
H05K 1/11 ( 200 6.01) ,  H05K 1/02 ( 200 6.01) ,  H01L 23/13 ( 200 6.01) ,  H01L 23/36 ( 200 6.01)
FI (4件):
H05K 1/11 N ,  H05K 1/02 J ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/36 C
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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