特許
J-GLOBAL ID:201803020384917026
配線基板および半導体モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
特許業務法人明成国際特許事務所
, 小松 茂久
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-168502
公開番号(公開出願番号):特開2015-037131
特許番号:特許第6258630号
出願日: 2013年08月14日
公開日(公表日): 2015年02月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 セラミックス層と、
前記セラミックス層の厚さ方向の一端に位置する第1表面に配置されている第1表面電極と、
前記セラミックス層の厚さ方向の他端に位置する第2表面に配置されている第2表面電極と、
前記セラミックス層の内部に配置され、前記第1表面電極と前記第2表面電極とに接触し、互いに同じ第1抵抗値を有する少なくとも2つのビアを有する第1ビア群と、
を備える配線基板であって、
前記第1表面電極において、前記第1ビア群のうちの隣り合う2つのビアと接触する2つの接触部の間は、第2抵抗値を有し、
前記第2表面電極において、前記第1ビア群のうちの隣り合う2つのビアと接触する2つの接触部の間は、第3抵抗値を有し、
(前記第1抵抗値)/(前記第2抵抗値)>10と、(前記第1抵抗値)/(前記第3抵抗値)>10とのうち、少なくとも一方を満たすこと、
を特徴とする配線基板。
IPC (4件):
H05K 1/11 ( 200 6.01)
, H05K 1/02 ( 200 6.01)
, H01L 23/13 ( 200 6.01)
, H01L 23/36 ( 200 6.01)
FI (4件):
H05K 1/11 N
, H05K 1/02 J
, H01L 23/12 C
, H01L 23/36 C
引用特許:
出願人引用 (4件)
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配線基板およびその製造方法および半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-057950
出願人:ソニー株式会社
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放熱性基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-313461
出願人:株式会社トクヤマ
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配線基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-269523
出願人:京セラ株式会社
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パワーモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-056874
出願人:ダイキン工業株式会社
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審査官引用 (4件)