特許
J-GLOBAL ID:200903084418918700

放熱性基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-313461
公開番号(公開出願番号):特開2003-124408
出願日: 2001年10月11日
公開日(公表日): 2003年04月25日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子搭載用の導電性ビアホールを有する放熱性基板において、高光出力用の半導体素子を搭載して大電流を流しても高い放熱特性を維持し、更に繰り返し使用しても半導体素子と基板との接合性が低下したり破損したりすることがない放熱性基板を提供する。【解決手段】 半導体素子を載置するための載置面を有するセラミック製基板であって、該載置面に該基板の両面間を貫通し、その内部にタングステン等の導電性物質が充填されたビアホールを有するセラミック基板を構成部材として含む放熱性基板において、前記載置面の半導体素子が載置される部位に、該部位に占める前記導電性物質の露出端面の総面積が5〜40%となるように孔径0.05〜0.5mmの複数のビアホールを配置する。
請求項(抜粋):
半導体素子を載置するための載置面を有するセラミック製基板であって、該載置面に該基板の両面間を貫通し、その内部に導電性物質が充填されたビアホールを有するセラミック基板を構成部材として含む放熱性基板において、前記載置面の半導体素子が載置される部位に、該部位に占める前記導電性物質の露出端面の総面積が5〜40%となるように孔径0.05〜0.5mmの複数のビアホールを配置したことを特徴とする放熱性基板。
IPC (7件):
H01L 23/36 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/373 ,  H01S 5/022
FI (7件):
H01S 5/022 ,  H01L 23/36 C ,  H01L 23/36 M ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 C ,  H01L 23/14 M
Fターム (9件):
5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC06 ,  5F036BD13 ,  5F073EA28 ,  5F073FA15 ,  5F073FA16 ,  5F073FA24 ,  5F073FA30
引用特許:
審査官引用 (10件)
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