特許
J-GLOBAL ID：201803020687510921

表示装置

発明者：
木村 肇

木村 肇 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-026844
公開番号（公開出願番号）：特開2018-116284
出願日： 2018年02月19日
公開日（公表日）： 2018年07月26日
要約：
【課題】発光素子の特性ばらつき、劣化に伴う電流値ばらつきを生じにくくする表示装置を提供する。【解決手段】トランジスタと、保持容量子106と、EL素子108と、ソース信号線101と、電流供給線107とを有し、第1のTFT104のソース又はドレインの一方は、電流供給線と電気的に接続され、第1のTFTのソース又はドレインの他方は、EL素子と電気的に接続され、第2のTFT105のソース又はドレインの一方は、電源線と電気的に接続され、第2のTFTのソース又はドレインの他方は、EL素子と電気的に接続され、第3のTFT103のソース又はドレインの一方は、ソース信号線と電気的に接続され、第3のTFTのソース又はドレインの他方は、前記第1のTFTのゲートと電気的に接続され、保持容量は、第1のTFTのゲートとソース又はドレインの他方との間に電気的に接続されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
画素を有し、 前記画素は、第1乃至第3のTFTと、EL素子と、保持容量と、を有し、 前記第1のTFTのソース又はドレインの一方は、電流供給線と電気的に接続され、 前記第1のTFTのソース又はドレインの他方は、前記EL素子と電気的に接続され、 前記第2のTFTのソース又はドレインの一方は、電源線と電気的に接続され、 前記第2のTFTのソース又はドレインの他方は、前記EL素子と電気的に接続され、 前記第2のTFTのソース又はドレインの一方は、ソース信号線と電気的に接続され、 前記第2のTFTのソース又はドレインの他方は、前記第1のTFTのゲートと電気的に接続され、 前記保持容量は、前記第1のTFTのゲートとソース又はドレインの他方との間に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
IPC (4件)：
G09F 9/30 ,  H01L 27/32 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (5件)：
G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365 ,  H01L27/32 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (14件)：
3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107BB06 ,  3K107CC33 ,  3K107EE03 ,  3K107HH02 ,  3K107HH05 ,  5C094AA10 ,  5C094AA37 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DB01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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