酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウムの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-544434
公開番号（公開出願番号）：特表2018-535329
出願日： 2016年11月15日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
要約：

本発明は、酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウム(Al2O3又はAlN)の層(2)の基板(1)上への製造方法であって、以下の一連の連続的工程a)及びb):a)堆積チャンバー(10)内で、5から25nmの間の厚さを有するアルミニウムの基本層(21、22)を基板(1)上に堆積させる工程、b)基板(1)を、堆積チャンバー(10)から分離した処理チャンバー(20)に移す工程であって、処理チャンバー内で、アルミニウムの基本層(21、22)が酸化又は窒化されて、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの基本層(21’、22’)を製造する工程を含む方法に関する。前記一連の連続的工程を、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの連続的層(21’、22’)を積み重ねることにより酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの前記層(2)が得られるまで、反復する。

請求項（抜粋）：

酸化アルミニウム(Al2O3)及び/又は窒化アルミニウム(AlN)からなる層を基板(1)上に形成するための方法であって、 a)堆積チャンバー内で、5から25nmの間の厚さを有するアルミニウムの単体層(21、22)を基板上に堆積させる工程と、 b)基板を、堆積チャンバーから分離した処理チャンバーに移す工程であって、処理チャンバー内で、アルミニウムの前記単体層(21、22)が酸化及び/又は窒化されて、それぞれ酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの単体層(21’、22’)を形成する工程による、一連の連続的工程a)及びb)が、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムの連続的単体層(21、22)をそれぞれ積み重ねることにより酸化及び/又は窒化アルミニウムの前記層が得られるまで、反復される、前記方法。

IPC (7件)：

C23C 16/44 , C23C 16/34 , C23C 16/40 , C23C 14/22 , C23C 14/06 , C23C 14/08 , H01L 21/316

FI (7件)：

C23C16/44 A , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C14/22 Z , C23C14/06 A , C23C14/08 A , H01L21/316 C

Fターム (42件)：

4K029AA24 , 4K029BA44 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BD01 , 4K029EA01 , 4K029GA00 , 4K029KA01 , 4K029KA09 , 4K030BA38 , 4K030BA43 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030EA03 , 4K030GA12 , 4K030JA01 , 4K030JA11 , 4K030LA02 , 5F045AA06 , 5F045AA15 , 5F045AA19 , 5F045AB40 , 5F045AC00 , 5F045BB02 , 5F045BB09 , 5F045DQ17 , 5F045EB06 , 5F045EE19 , 5F045HA24 , 5F058BA06 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BD05 , 5F058BD12 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BG01

引用特許：

審査官引用 (6件)

アルミナ膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-250225 出願人：富士通株式会社
多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-291268 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
CVD装置の反応室のコーティング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-365989 出願人：株式会社東芝

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