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所属機関・部署：
職名： 研究員
競争的資金等の研究課題 (1件)：
論文 (8件)：
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講演・口頭発表等 (16件)：
学歴 (4件)：
経歴 (3件)：
受賞 (1件)：
所属学会 (3件)：
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地方独立行政法人大阪産業技術研究所 森之宮センター
地方独立行政法人大阪産業技術研究所 森之宮センター について
職名： 研究員
競争的資金等の研究課題 (1件)：
- 2022 - 2025 熱力学的探索手法を用いたマンガンシリサイド熱電材料の組成・構造制御
- J. Tani, H. Ishikawa. Fabrication of Mg3Sb2 thin films via radio-frequency magnetron sputtering and analysis of the corresponding electrical properties. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2021. 32. 19499-19510
- J. Tani, H. Ishikawa. Thermoelectric properties of Te-doped Mg3Sb2 synthesized by spark plasma sintering. Physica B. 2020. 588. 412173
- J. Tani, H. Ishikawa. Thermoelectric properties of La- and Sc-doped Mg3Sb2 synthesized via pulsed electric current sintering. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2020. 31. 7724-7730
- J. Tani, H. Ishikawa. One-step rapid synthesis of n-type Y-doped Mg3Sb2 by pulsed electric current sintering and investigation of its thermoelectric properties. Mater. Lett. 2020. 262. 127056
- J. Tani, H. Ishikawa. Thermoelectric properties of Mg2Sn thin films fabricated using radio frequency magnetron sputtering. Thin Solid Films. 2019. 692. 137601
- New Fluorinated Carbons: Fundamentals and Applications
Elsevier 2016
-
B/CおよびB/C/N材料の軟X線吸収端構造と第一原理計算を用いた電子状態の解析
(日本学術振興会炭素材料第117委員会第328回委員会 2018) -
B/C/N系層状化合物の作製とエネルギー貯蔵・変換材料としての応用
(日本学術振興会炭素材料第117委員会 70周年記念講演会 2018) -
ホウ素/炭素/窒素系材料の作製および電子状態の解析
(第125回黒鉛化合物研究会 2018) -
軟X線吸収分光法と第一原理計算によるB/C/N材料の電子状態評価
(第30回 DV-Xα研究会) -
Intercalation of calcium into boron/carbon/nitrogen materials based on the graphite network by liquid alloy method
(ISIC 17)
- 2020 - 大阪電気通信大学大学院 工学研究科 先端理工学専攻 博士(工学)
- 2015 - 2018 大阪電気通信大学大学院 工学研究科 先端理工学専攻博士 後期課程(満期退学)
- 2013 - 2015 大阪電気通信大学大学院 工学研究科 先端理工学専攻 博士前期課程
- 2009 - 2013 大阪電気通信大学 工学部 応用化学科
- 2019/04 - 現在 地方独立行政法人大阪産業技術研究所 電子材料研究部 研究員
- 2018/04 - 2019/03 大阪電気通信大学 継続研究員
- 2018/04 - 2019/03 大阪電気通信大学 非常勤講師
- 2017/08 - 第30回DV-Xα研究会優秀オーラル賞
※ J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。
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