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J-GLOBAL ID：201902210842154413   整理番号：19A1565407

光触媒とCathilonを用いた紫外線励起研磨 -4H-SiCウェハーへの研磨適用性の追究と化学状態のXAFS分析-

Ultraviolet-excitation Polishing using Photocatalyst and Cathilon -Availability Study for 4H-SiC Wafer Polishing and XAFS Analysis of Chemical State-

著者 (3件)： 田中武司 (立命館大学総合科学技術研究機構) ,  滝沢優 (立命館大学理工学部物理科学科) ,  畑彰宏 (新コスモス電機(株))
資料名： 精密工学会誌(Web)  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering (Web))
巻： 85  号： 5  ページ： 432-439(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U0462A  ISSN： 1882-675X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 4H-SiCウエハの紫外励起研磨の有用性と,光触媒とCathilonを使用して研磨した4H-SiC表面の化学状態を,紫外線(UV)の有無で調べた。X線吸収微細構造分光法(XAFS)により,研磨した4H-SiC表面の定性分析を行った。ダイヤモンド粒子を含むTiO₂スラリー,Cathilonスラリー,TiO₂-Cathilonスラリー(混合スラリー)を使用した4H-SiCの研磨中に,Cathilon染料と水の分解によって形成/除去される酸化物を明らかにするために,この分析を使用した。従来のサンドブラストおよびハンドラッピングによる4H-SiC研磨では,TiO₂スラリーは大きな研磨効率と大きな研磨表面粗さを提供し,CathilonスラリーはUV照射下で小さい研磨効率と小さい研磨表面粗さを提供した。UV照射下で4H-SiCを研磨するのに適した混合スラリーを用いて,大きな研磨効率,小さな研磨表面粗さ,大きな粗さ減少速度を達成した。3種類のスラリーの中で,UVの有無でXAFSスペクトルの違いを観察した。XAFS分析は主に,UV有無下でCathilonと混合スラリーを使用して研磨した表面上にいくつかの酸化物が形成されることを示した。混合スラリーを使用した研磨では,特に研磨SiC表面上の内側の酸化物の量が少なかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *紫外線 ,  *励起 ,  *研磨 ,  光触媒 ,  酸化チタン ,  炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  ウエハ【IC】 ,  適応性 ,  化学的性質 ,  XAFS ,  定性分析 ,  酸化物
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  Cathilon染料 ,  化学状態 ,  *紫外励起研磨

著者キーワード (12件)： 紫外線励起 ,  光触媒 ,  cathロン ,  研磨 ,  XAFS ,  4H-SiC ,  紫外線励起 ,  光触媒 ,  cathロン ,  研磨 ,  XAFS ,  4H-SiC

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  特殊加工  (QC04000Y)

引用文献 (25件)：

• 1) 新田浩士: 次世代デバイス基板及び配線の高速, 高精度CMP技術の研究開発, 博士論文, 高知工科大学大学院, 2009.12.11.
• 2) 平野真也, 河田研治, 浅水啓州, 加藤智久: パワーエレクトロニクス用SiCウェハーの高能率CMPプロセスの開発, 砥粒加工学会誌, 60, 8 (2016) 454.
• 3) 山村和也, 瀧口達也, 上田真己, 鄧 輝, 服部 梓, 是津信行: プラズマ援用研磨による4H-SiC(0001)表面の高品位仕上げ加工, 砥粒加工学会誌, 55, 9 (2011) 534.
• 4) 久住孝幸, 佐藤安弘, 池田 洋, 赤上陽一, 梅原徳次: 炭化ケイ素基盤のための電界砥粒分布制御研磨に関する研究, 精密工学会誌, 79, 1 (2013) 87.
• 5) 栗田恒雄, 三宅晃司, 河田研治, 芦田 極, 加藤智久: 単結晶SiC高能率複合研磨法の開発, 砥粒加工学会誌, 58, 1 (2014) 30.

タイトルに関連する用語 (9件)： 光触媒 ,  紫外線 ,  励起 ,  研磨 ,  4H-SiC ,  ウェハー ,  化学状態 ,  XAFS ,  分析