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J-GLOBAL ID：201102247524448764   整理番号：11A1430243

プラズマ援用研磨による4H-SiC(0001)表面の高品位仕上げ加工

著者 (6件)： 山村和也 (大阪大 大学院) ,  瀧口達也 (大阪大 大学院) ,  上田真己 (大阪大 大学院) ,  DENG Hui (大阪大 大学院) ,  服部梓 (大阪大 産科研) ,  是津信行 (大阪大 大学院)
資料名： 砥粒加工学会誌  (Abrasive Technology)
巻： 55  号： 9  ページ： 534-539  発行年： 2011年09月01日 
JST資料番号： L0473A  ISSN： 0914-2703  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンカーバイド(SiC)は,大きなバンドギャップと高い絶縁破壊強度を有することから高性能パワーデバイス用の半導体材料として期待されている。また,高硬度で高耐熱性かつ化学的に不活性という特性から,ガラスモールド成形金型用の材料としても有用である。しかしながら,一般的にダイヤモンド砥粒を用いて研磨した場合,スクラッチや加工変質層の形成により,幾何学的にも物性的にも表面品位が低下する。本研究では,大気圧プラズマの照射によりSiCの表面を軟質化し,母材よりも硬度が小さな砥粒を用いることで,スクラッチフリーかつダメージフリーに表面を仕上げるプロセスの開発を目的としている。市販の4H-SiC(0001)ウエハに対して大気圧水蒸気プラズマを照射した場合,アルミナボールを用いたボールオンディスク試験では未照射の場合と比較して約20倍の摩耗深さが得られ,ナノインデンテーション試験では硬度が約1/8に低下することがわかった。酸化セリウム砥粒を用いてプラズマ援用研磨を行ったところ,ステップ/テラス構造が観察される原子スケールで平滑な表面が得られるとともに,加工面の反射高速電子回折測定では加工歪がほとんど存在しないことがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  結晶面 ,  大気プラズマ ,  *研磨 ,  *プラズマ曝露 ,  砥粒 ,  化学種 ,  *ラッピング ,  ウエハ【IC】 ,  酸化セリウム ,  研磨面 ,  表面粗さ ,  加工変質層 ,  化学結合
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *プラズマ援用研磨 ,  遊離砥粒

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

引用文献 (13件)：

• ZHOU, L. Chemomechanical Polishing of Silicon Carbide. J. Electrochem. Soc. 1997, 144, L161
• NESLEN, C. L. Effects of Process Parameter Variations on the Removal Rate in Chemical Mechanical Polishing of 4H-SiC. J. Electro. Mater. 2001, 30, 1271
• KIKUCHI, M. Mechanochemical Polishing of Silicon Carbide Single Crystal with Chromium (III) Oxide Abrasive. J. Am. Ceram. Soc. 1992, 75, 189
• HARA, H. Novel Abrasive-Free Planarization of 4H-SiC (0001) Using Catalyst. J. Electro. Mater. 2006, 35, L11
• ARIMA, K. Atomic-scale Flattening of SiC Surfaces by Electroless Chemical Etching in HF Solution with Pt Catalyst. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 202106-1

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  援用 ,  研磨 ,  4H-SiC ,  高品位 ,  仕上げ加工