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J-GLOBAL ID:201902213903672664   整理番号:19A1469671

O-およびH-吸着[数式:原文を参照](111)表面の電子およびスピン構造【JST・京大機械翻訳】

Electronic and spin structure of O- and H-adsorbed [Formula : see text](111) surfaces
著者 (8件):
資料名:
巻: 99  号:ページ: 085442  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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[数式:原文を参照](111)表面上のOおよびH原子の吸着を,紫外光電子放出分光法(UPS)および第一原理計算を用いて調べた。FeA1終端表面では,H吸着はFermi準位近傍の状態密度を変えることなく仕事関数を減少させた。Fermi準位近傍の状態密度はO吸着により減少した。O/FeA1終端表面において,H吸着はFermi準位近傍の状態密度を劇的に増加させ,Fe[数式:原文を参照]状態が修飾されることを示した。第一原理計算は,FeA1終端表面上の表面FeAの電子構造が,孤立したスピン分極導電層を形成するスピンアップを伴う半金属であることを示した。O吸着により,表面FeAサイトのFermi準位におけるアップスピンバンドが除去され,表面FeAのFermi準位はダウンスピン[数式:原文を参照]バンドに移動した。その後のH吸着により,電子はFeAl1サイトにドープされ,表面FeAl1層は半導体になる。これらの結果は,電荷とスピン構造がOとHの吸着によって変調されることを示している。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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表面の電子構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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