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J-GLOBAL ID：201902214383677411   整理番号：19A2110975

4H-SiCにおける窒素空孔中心の形成とそれらの近赤外光ルミネセンス特性【JST・京大機械翻訳】

Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties

著者 (6件)： Sato Shin-ichiro (Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan) ,  Narahara Takuma (Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan) ,  Abe Yuta (Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan) ,  Hijikata Yasuto (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, 255 Shimo-ohkubo, Sakura-ku, Saitama, Saitama 338-8570, Japan) ,  Umeda Takahide (Tsukuba Research Center for Energy Materials Science, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8577, Japan) ,  Ohshima Takeshi (Quantum Beam Science Research Directorate, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 126  号： 8  ページ： 083105-083105-10  発行年： 2019年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で近赤外(NIR)光ルミネセンス(PL)を生成するSiC[窒素空格子点(NV)中心]中のN_CV_Si中心は,in vivoイメージングとセンシングのための量子センサとしての応用が期待されている。NVセンターを用いた量子センシングを実現するためには,形成機構の解明と高密度形成の制御が必要である。本論文では,イオンビーム照射とその後の熱アニーリングによって形成された4H-SiC基板を含む高純度の半絶縁性と窒素(N)中のNV中心から生じるNIR-PL特性に関する包括的な研究を報告する。NV中心は注入されたNよりも不純物として含まれるNによって排他的に形成され,また重いイオン照射はより軽いイオン照射よりも効果的にNV中心形成を誘起することを示した。異なる温度での熱アニーリングに関する研究は,最適温度が1000°Cであることを明らかにした。PL強度に対する温度依存性の結果から,PL強度のわずかな熱消光が室温で現れ,PL信号が783Kでも収集されることを示した。得られた結果に基づいて,NV中心の形成機構も議論した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基板 ,  *光ルミネセンス ,  *近赤外線 ,  イオン照射 ,  不純物 ,  温度依存性 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 熱消光 ,  最適温度 ,  熱アニーリング ,  高密度 ,  形成機構 ,  バイオイメージング ,  窒素空格子点 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  窒素空孔中心 ,  近赤外光 ,  ルミネセンス