文献
J-GLOBAL ID:201902215460068735
整理番号:19A1616359
Alloy Semiconductor実験総括
Summary of Alloy Semiconductor Experiment
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著者 (9件):
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資料名:
巻:
34
号:
1
ページ:
ROMBUNNO.340110 (WEB ONLY)
発行年:
2017年01月31日
JST資料番号:
U1608A
ISSN:
2188-9783
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
解説
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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準シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長
引用文献 (18件):
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Y. Inatomi, K. Sakata, M. Arivanandhan, G. Rajesh, Y. Hayakawa, A. Tanaka, T. Ozawa, Y. Okano, T. Ishikawa, M. Takayanagi, S. Yoda and Y. Yoshimura: Trans. JSASS,10(2012) Th_1.
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阪田薫穂, 向井碧, G. Rajesh,M. Arivanandan, 稲富裕光, 石川毅彦, 早川泰弘:熱物性,27(2013) 152.
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K. Sakata, M. Mukai, G. Rajesh, M. Arivanandhan, Y. Inatomi, T. Ishikawa and Y. Hayakawa: Int. J. Thermophys,35(2014) 352.
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K. Sakata, M. Mukai, G. Rajesh, M. Arivanandhan, Y. Inatomi, T. Ishikawa and Y. Hayakawa: Adv. Space Res.,53(2014) 689.
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Y. Hayakawa, M. Arivanandhan, G. Rajesh, A. Tanaka, T. Ozawa, Y. Okano, K. Sankaranarayanan and Y. Inatomi: AIP Conf.Proc.,1313(2010) 45.
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