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J-GLOBAL ID：201902217540343051   整理番号：19A2868555

ゲート定義一次元電子系における歪変調のプロービング【JST・京大機械翻訳】

Probing strain modulation in a gate-defined one-dimensional electron system

著者 (10件)： Fauzi M. H. (Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Sahdan M. F. (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Takahashi M. (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Basak A. (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Sato K. (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Nagase K. (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Muralidharan B. (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai 400076, India) ,  Hirayama Y. (Center for Spintronics Research Network, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Hirayama Y. (Department of Physics, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan) ,  Hirayama Y. (Center for Science and Innovation in Spintronics (Core Research Cluster), Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 100  号： 24  ページ： 241301  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体上のゲートパターン形成は,電子移動を減少次元に静電的に制限するために通常使用される。極低温では,多くの研究が行われているが,パターン化したゲートと半導体の間の示差熱収縮は,しばしばかなりの歪変調をもたらす。半導体に埋め込まれた導電性チャネルへのそのような変調歪の影響は長く認識されているが,その大きさと変動を測定することはかなり挑戦的である。ここでは,四重極核に結合したその場電子を用いて,抵抗的に検出されたNMRを適用することにより,ゲートで定義されたGaAsベースの一次元チャネルにおける変調を測定する方法を示した。四重極分裂共鳴から推定された検出された歪の大きさは,[数式:原文を参照]のオーダーで空間的に変化し,弾性歪モデルに基づく予測された変化と一致する。界面で発達した初期横歪[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]を推定した。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 極低温 ,  四重極 ,  導電性 ,  共鳴 ,  半導体 ,  熱収縮 ,  NMR【磁気共鳴】 ,  変調歪 ,  ヒ化ガリウム ,  *一次元 ,  電子移動 ,  *電子系 ,  界面 ,  パターン形成 ,  チャネル ,  歪

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  定義 ,  電子系 ,  変調