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J-GLOBAL ID：201902228579097823   整理番号：19A1798782

Al薄膜ドーパント源によるp型4H-SiCへの低抵抗接触の形成

Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source

著者 (5件)： OKAMOTO Kento (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KIKUCHI Toshifumi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IKEDA Akihiro (Sojo Univ., Kumamoto, JPN) ,  IKENOUE Hiroshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ASANO Tanemasa (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SD  ページ： SDDF13.1-SDDF13.4  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *アルミニウム ,  ドーパント ,  金属薄膜 ,  *接触抵抗 ,  *フォトドーピング ,  *チタン ,  深さプロフィル ,  電子顕微鏡観察 ,  比率 ,  *半導体金属接合
準シソーラス用語： *レーザドーピング ,  走査電子顕微鏡観察 ,  比接触抵抗

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (22件)：

• F. Roccaforte, P. Fiorenza, G. Greco, R. Lo Nigro, F. Giannazzo, F. Iucolano, and M. Saggio, Microelectron. Eng. 187-188, 66 (2018).
• M. Usman and M. Nawaz, Solid. State. Electron. 92, 5 (2014).
• A. Frazzetto, F. Giannazzo, R. Lo Nigro, V. Raineri, and F. Roccaforte, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 255302 (2011).
• K. Ito, S. Tsukimoto, and M. Murakami, Sci. Technol. Adv. Mater. 7, 496 (2006).
• D. Bae, G. Ahn, C. Jeong, and K. Kim, Electr. Eng. 100, 2431 (2018).

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  薄膜 ,  ドーパント ,  4H-SiC ,  低抵抗