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J-GLOBAL ID：201902230613093070   整理番号：19A2331894

AlN/Si(110)基板上のSiC膜堆積に及ぼす異なる温度で成長したSiCシード層の影響

Effect of a SiC seed layer grown at different temperatures on SiC film deposition on top of an AlN/Si(110) substrate

著者 (2件)： NARA Yuki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  NAKAZAWA Hideki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SI  ページ： SIIA18.1-SIIA18.6  発行年： 2019年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  ウエハ【IC】 ,  *炭化ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  *温度 ,  *下層 ,  シラン ,  化学蒸着 ,  パルスレーザ蒸着 ,  結晶度 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  表面粗さ ,  *成長温度 ,  表面形態 ,  シリコンウエハ ,  構造
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  *シード層 ,  モノメチルシラン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (37件)：

• W. de Heer et al., Solid State Commun. 143, 92 (2007).
• K. Emtsev et al., Nat. Mater. 8, 203 (2009).
• T. Rana, M. V. S. Chandrashekhar, K. Daniels, and T. Sudarshan, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 030304 (2015).
• Z. Yang, S. Xu, L. Zhao, J. Zhang, Z. Wang, X. Chen, X. Cheng, F. Yu, and X. Zhao, Appl. Surf. Sci. 436, 511 (2018).
• G. R. Yazdi, R. Vasiliauskas, T. Iakimov, A. Zakharov, M. Syväjärvi, and R. Yakimova, Carbon 57, 477 (2013).

タイトルに関連する用語 (6件)： AlN ,  Si ,  SiC ,  堆積 ,  成長 ,  シード層