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J-GLOBAL ID：201902240846384699   整理番号：19A1907095

層状オキシカルコゲン化物(BiO)CuCu(CH=S,Se,Te)の電子および熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Electronic and Thermoelectric Properties of Layered Oxychalcogenides (BiO)CuCh (Ch = S, Se, Te)

著者 (14件)： Muhammady Shibghatullah (Department of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Science, Institut Teknologi Bandung, Indonesia) ,  Kurniawan Yudhi (Department of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Science, Institut Teknologi Bandung, Indonesia) ,  Ishiwata Seiya (College of Sciences and Technology, Nihon University, Tokyo, Japan) ,  Rousuli Awabaikeli (Graduate School of Science, Hiroshima University, Japan) ,  Nagasaki Toshiki (Graduate School of Science, Hiroshima University, Japan) ,  Nakamura Shogo (Faculty of Science, Hiroshima University, Japan) ,  Sato Hitoshi (Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima University, Japan) ,  Higashiya Atsushi (Faculty of Science and Engineering, Setsunan University, Osaka, Japan) ,  Yamasaki Atsushi (Faculty of Science and Engineering, Konan University, Japan) ,  Hara Yoshiaki (National Institute of Technology, Ibaraki College, Japan) ,  Rusydi Andrivo (NUSNNI-NanoCore, Department of Physics, National University of Singapore, Singapore) ,  Rusydi Andrivo (Singapore Synchrotron Light Source, National University of Singapore, Singapore) ,  Takase Kouichi (College of Sciences and Technology, Nihon University, Tokyo, Japan) ,  Darma Yudi (Department of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Science, Institut Teknologi Bandung, Indonesia)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 57  号： 16  ページ： 10214-10223  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固相反応を用いて調製した(BiO)-CuCh(Ch=Se,Te)の多結晶層状オキシカルコゲナイド系の電子的および熱電的性質の新しい詳細を研究した。この系を光電子放出(PE)分光法と4プローブ温度依存電気抵抗率ρ(T)を用いて特性化した。一般化勾配近似法を用いて電子特性を計算することにより,PEスペクトルを説明した。PEスペクトルとρ-(T)は,(BiO)-CuSe系が半導体であるが,(BiO)-CuTe系は高い熱電性能を誘起する金属挙動を示すことを示した。(BiO)-CuCh(Ch=S,Se,Te)の電子特性の計算は,(BiO)-CuTe系の金属挙動がFermiエネルギー準位で主にTe5p状態により誘起され,一方,(BiO)-CuSと(BiO)-CuSe系ではそれぞれ0.68と0.40eVの間接バンドギャップが得られることを確認した。Cuサイトにおける局所対称性歪は,Cu3d-t2gを強く刺激し,部分的にCh p軌道とハイブリッド化されることを示した。本研究は,新しい機能性デバイス応用のための無機系の本質的性質を提示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固相反応 ,  *スペクトル ,  キャラクタリゼーション ,  プローブ ,  多結晶 ,  Fermi準位 ,  光電子放出 ,  電気抵抗率 ,  半導体 ,  対称性 ,  温度依存性 ,  間接バンドギャップ
準シソーラス用語： 機能性 ,  一般化勾配近似法 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 層状 ,  Se ,  Te ,  電子 ,  熱電特性