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J-GLOBAL ID：201902242748548375   整理番号：19A0668951

金属と金属酸化物粉末ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング蒸着によるSnドープSiO₂薄膜の作製

Preparation of Sn doped SiO₂ thin films by magnetron sputtering deposition using metal and metal-oxide powder targets

著者 (6件)： KAWASAKI Hiroharu (Sasebo Coll., Nagasaki, JPN) ,  OHSHIMA Tamiko (Sasebo Coll., Nagasaki, JPN) ,  YAGYU Yoshihito (Sasebo Coll., Nagasaki, JPN) ,  IHARA Takeshi (Sasebo Coll., Nagasaki, JPN) ,  SHINOHARA Masanori (Sasebo Coll., Nagasaki, JPN) ,  SUDA Yoshiaki (Ishikawa Coll., Ishikawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SA  ページ： SAAD04.1-SAAD04.4  発行年： 2019年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2種類の混合粉末ターゲットを用いたスパッタリング堆積法により,光電子デバイスに使用するためのスズ(Sn)ドープ二酸化ケイ素(SiO₂)薄膜を調製した。それらの一つはSnとSiO₂の金属混合粉末ターゲットであり,他はSnO₂とSiO₂の金属酸化物粉末ターゲットであった。実験結果は,SnドープSiO₂薄膜が両方の粉末ターゲットを用いる方法によって調製できることを示唆した。電子密度と温度,発光種,および調製した膜の元素濃度比などの処理プラズマの特性は,SnO₂とSiO₂のターゲット混合物の比率によって,SnO₂+SiO₂ターゲットを用いて制御することができた。しかし,Sn+SiO₂ターゲットを用いて調製した膜の処理プラズマと元素濃度比を制御することは困難である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 金属 ,  金属酸化物 ,  *粉体 ,  *ターゲット ,  マグネトロンスパッタリング ,  *スズ ,  *ドーピング ,  *二酸化ケイ素 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  電子密度 ,  電子温度 ,  発光分析 ,  *スパッタ蒸着
準シソーラス用語： 粉末 ,  酸化物薄膜 ,  発光分光分析

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (27件)：

• J.-I. Song, Appl. Phys. Lett. 90, 022106 (2007).
• N. Itagaki, T. Iwasaki, H. Kumomi, T. Den, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Phys. Status Solidi A 205, 1915 (2008).
• H. Fujiyama, Surf. Coatings Technol. 131, 278 (2000).
• E. Morisaki and H. Fujiyama, Surf. Coatings Technol. 98, 834 (1998).
• T. Fujikawa, D. Wong, Y. Zhao, S. Fleming, S. Poole, and M. Sceats, Electronic Lett. 31, 573 (1995).

タイトルに関連する用語 (9件)： 金属酸化物粉末 ,  ターゲット ,  マグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  Sn ,  ドープ ,  SiO2 ,  薄膜 ,  作製