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J-GLOBAL ID：201902264515529535   整理番号：19A0109462

非晶質III-VI族半導体シェルの形成によるAgInS₂半導体ナノ粒子からの狭帯域端光ルミネセンス

Narrow band-edge photoluminescence from AgInS₂ semiconductor nanoparticles by the formation of amorphous III-VI semiconductor shells

著者 (9件)： UEMATSU Taro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WAJIMA Kazutaka (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHARMA Dharmendar Kumar (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HIRATA Shuzo (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Takahisa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMEYAMA Tatsuya (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  VACHA Martin (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  TORIMOTO Tsukasa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KUWABATA Susumu (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： NPG Asia Materials (Web)  (NPG Asia Materials (Web))
巻： 10  号： Aug  ページ： 713-726 (WEB ONLY)  発行年： 2018年08月 
JST資料番号： U0883A  ISSN： 1884-4057  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・AgInS₂/InS_x,AgInS₂/GaS_xコア-シェル構造におけるコアAgInS₂半導体ナノ粒子からの狭帯域光ルミネセンス発生に成功。
・GaS_xシェルは非晶質であって,バンドギャップ内欠陥準位を除去するのにソフト非晶質無機シェルは有利,半導体ナノ粒子を安定化。
・帯域端光ルミネセンスの平均線幅(FWHM)は,従来のII-VI族半導体量子ドットに匹敵する程度に小さく,80.0meV(または24nm)程度。
・光ルミネセンス量子収量は56%達成。

シソーラス用語： *硫化物 ,  *銀化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *化合物半導体 ,  *ナノ粒子 ,  *ガリウム化合物 ,  *コアシェル構造 ,  狭帯域 ,  *光ルミネセンス ,  コア構造 ,  シェル構造 ,  非晶質 ,  欠陥準位 ,  FWHM ,  量子ドット ,  *量子収量 ,  *硫化インジウム ,  硫化インジウム銀 ,  *硫化ガリウム

分類 (2件)： 非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  III-VI族半導体 ,  シェル ,  半導体ナノ粒子 ,  狭帯域 ,  光ルミネセンス