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J-GLOBAL ID：201902270646737565   整理番号：19A0487972

InGaN系多重量子井戸発光素子内のナノ構造の性能【JST・京大機械翻訳】

Performance of Nanostructures within InGaN-Based Multiquantum-Well Light-Emitting Devices

著者 (3件)： Wu Ya-Fen (Department of Electronic Engineering, Ming Chi University of Technology, New Taipei City 243, Taiwan) ,  Wu Ya-Fen (College of Engineering, Chang Gung University, Taoyuan 333, Taiwan) ,  Lee Jiunn-Chyi (Department of Electrical Engineering, Taipei City University of Science and Technology, Taipei 112, Taiwan)
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 7  号： 4  ページ： 380  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光素子の動作特性を改善するために,InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)ヘテロ構造の障壁層に多重量子障壁(MQB)ナノ構造を導入した。エレクトロルミネセンス(EL)スペクトルを広い温度範囲で調べた。著者らは,MQBナノ構造を有する試料に対して,キャリア漏れを抑制することを観察した。ナノ結晶サイズのより大きな不均一性とより強い局在化効果もまた試料に対して観察された。この現象を解釈するために,高分解能X線回折曲線を測定し,Warren-Averbachモデルを用いて解析した。温度の関数としての外部量子効率も評価した。計算結果は,提供したEL測定の推論と一致した。発光素子の性能はInGaN/GaN MQW内のMQBナノ構造により増強されることを決定した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ナノ結晶 ,  *多重量子井戸 ,  *窒化ガリウム ,  エレクトロルミネセンス ,  スペクトル ,  *ナノ構造 ,  不均一性
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  高分解能X線回折 ,  局在化 ,  温度範囲 ,  バリア層 ,  ヘテロ構造 ,  *発光素子 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 多重量子障壁 ,  多重量子井戸 ,  エレクトロルミネセンス ,  効率

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (33件)：

• Nakamura, S.; Fasol, G. The Blue Laser Diode; Springer: Berlin, Germany, 1997.
• Nakamura, S.; Senoh, M.; Nagahama, S.I.; Iwasa, N.; Yamada, T.; Matsushita, T.; Kiyoku, H.; Sugimoto, Y. InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, L74-L76.
• Zhang, M.; Bhattacharya, P.; Guo, W. InGaN/GaN self-organized quantum dot green light emitting diodes with reduced efficiency droop. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 011103.
• Bhattacharya, P.; Zhang, M.; Hinchley, J. Tunnel injection In0.25Ga0.75N/GaN quantum dot light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 251107.
• Arif, R.A.; Ee, Y.K.; Tansu, N. Polarization engineering via staggered InGaN quantum wells for radiative efficiency enhancement of light emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 091110.

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaN ,  多重量子井戸 ,  発光素子 ,  ナノ構造