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J-GLOBAL ID：201902275609090837   整理番号：19A1890969

HBN/WS_2/MOS_2/hBNのvan der Waalsヘテロ構造における直接および間接層間励起子【JST・京大機械翻訳】

Direct and Indirect Interlayer Excitons in a van der Waals Heterostructure of hBN/WS₂/MoS₂/hBN

著者 (13件)： Okada Mitsuhiro (Department of Chemistry, Nagoya University, Japan) ,  Kutana Alex (Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Texas, United States) ,  Kureishi Yusuke (Department of Chemistry, Nagoya University, Japan) ,  Kobayashi Yu (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Japan) ,  Saito Yuika (Department of Chemistry, Gakushuin University, Japan) ,  Saito Tetsuki (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Japan) ,  Watanabe Kenji (National Institute for Materials Science, Japan) ,  Taniguchi Takashi (National Institute for Materials Science, Japan) ,  Gupta Sunny (Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Texas, United States) ,  Miyata Yasumitsu (Department of Physics, Tokyo Metropolitan University, Japan) ,  Yakobson Boris I. (Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Texas, United States) ,  Shinohara Hisanori (Department of Chemistry, Nagoya University, Japan) ,  Kitaura Ryo (Department of Chemistry, Nagoya University, Japan)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 12  号： 3  ページ： 2498-2505  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多重谷系から成るvan der Waals(vdW)ヘテロ構造は,電子構造のいくつかの谷から生じる層間励起子からの励起子光学応答を示すことができる。本研究では,六方晶窒化ホウ素(hBN)フレーク上に堆積したvdWヘテロ構造,WS_2/MoS_2からの光ルミネセンス(PL)を研究した。室温で観測された作製したヘテロ構造からのPLスペクトルは1.3~1.7eVにPLピークを示し,これはWS_2またはMoS_2単分子層のみのPLスペクトルには存在しない。観測された低エネルギーPLピークは3つの異なるピークに分解できる。PLイメージング,時間分解PL測定,およびG_0W_0によるBe-Salpeter方程式を解くことによる誘電関数ε-(ω)の計算を含む詳細なPL測定と理論解析を通して,三つのPLピークが直接K-K中間層励起子,間接Q-Γ中間層励起子および間接K-Γ中間層励起子から生じると結論した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多重化 ,  画像処理 ,  誘電関数 ,  電子構造 ,  光ルミネセンス ,  *励起子 ,  単分子層 ,  フレーク ,  中間層 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  *ヘテロ構造
準シソーラス用語： 理論解析 ,  光ルミネセンススペクトル ,  光応答 ,  *van der Waalsヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

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分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  ルミネセンス一般  (BM08091B)

タイトルに関連する用語 (4件)： VAN ,  ヘテロ構造 ,  間接 ,  励起子