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J-GLOBAL ID：201902276083737287   整理番号：19A0918945

グラフェン/MoS_2/Si van der Waalsヘテロ構造における光起電力効果【JST・京大機械翻訳】

Photovoltaic Effect in Graphene/MoS2/Si Van der Waals Heterostructures

著者 (2件)： Shi Weilin (Suzhou University of Science and Technology, Suzhou 215011, China) ,  Ma Xiying (Suzhou University of Science and Technology, Suzhou 215011, China)
資料名： Coatings (Web)  (Coatings (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 2  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7162A  ISSN： 2079-6412  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,急速な化学蒸着によって成長させたグラフェン/MoS2/Si二重ヘテロ構造の光起電力効果に関する研究を提示した。グラフェン/MoS2 Schottky接合とMoS2/Siヘテロ構造の二重接合が素子性能の向上に重要な役割を果たしていることが分かった。それらは,グラフェン/MoS2/Si二重界面において,より多くの電子-正孔対を効率的に生成,分離,収集することを可能にした。素子は,500mW/cm2の光照射下で,0.51Vの開回路電圧と2.58%のエネルギー変換効率を実証した。素子の光起電力効果は,少数層MoS_2膜の強い光吸収と光応答に起因し,部分的に素子中の二重van der Waalsヘテロ構造(vdWH)の高いキャリア収集速度に起因した。Copyright 2019 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  *光起電力効果 ,  *ケイ素 ,  高速度 ,  光吸収 ,  接合 ,  エネルギー変換効率 ,  光照射 ,  化学蒸着 ,  界面 ,  電子正孔対
準シソーラス用語： 光応答 ,  開回路電圧 ,  二硫化モリブデン ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン/MOS_2/Siヘテロ構造 ,  化学蒸着 ,  エネルギー変換効率 ,  光応答

分類 (5件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E) ,  食品包装  (FJ02030B) ,  木材の性質・構造  (FF05020Z) ,  磁性理論  (BM06020X)

引用文献 (23件)：

• Shih, C.; Wang, Q.H.; Son, Y.; Jin, Z.; Blankschtein, D.; Strano, M.S. Tuning on-off current ratio and field-effect mobility in a MoS2-graphene heterostructurevia Schottky barrier modulation. ACS Nano 2014, 8, 5790-5798.
• Kwak, J.Y.; Hwang, J.; Calderon, B.; Alsalman, H.; Munoz, N.; Schutter, B.; Spencer, M.G. Electrical characteristics of multilayer MoS2 FET’s with MoS2/graphene heterojunction contacts. Nano Lett. 2014, 14, 4511-4516.
• Baugher, B.W.H.; Churchill, H.O.H.; Yang, Y.; Jarillo-herrero, P. Optoelectronic devices based on electrically tunable p-n diodes in a monolayer dichalcogenide. Nat. Nanotechnol. 2014, 9, 262-267.
• Roy, K.; Padmanabhan, M.; Goswami, S.; Sai, T.P.; Ramalingam, G.; Raghavan, S.; Ghosh, A. Graphene-MoS2 hybrid structures for multifunctional photoresponsive memory devices. Nat. Nanotechnol. 2013, 8, 826-830.
• Yu, W.J.; Li, Z.; Zhou, H.; Chen, Y.; Wang, Y.; Huang, Y.; Duan, X. Vertically stacked multi-heterostructures of layered materials for logic transistors and complementary inverters. Nat. Mater. 2013, 12, 246-252.

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  Si ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  光起電力効果