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J-GLOBAL ID：201902289651953418   整理番号：19A1873436

シンクロトロンX線トポグラフィーによる物理気相輸送成長AlN単結晶基板における転位とそれらのアレイの観察

Observation of dislocations and their arrays in physical vapor transport-grown AlN single-crystal substrate by synchrotron X-ray topography

著者 (7件)： YAO Yongzhao (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  SUGAWARA Yoshihiro (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Yukari (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  OKADA Narihito (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TADATOMO Kazuyuki (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TAKAHASHI Yumiko (Nihon Univ., Funabashi, JPN) ,  HIRANO Keiichi (High Energy Accelerator Res. Organization, Tsukuba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： SC  ページ： SCCB29.1-SCCB29.5  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *X線トポグラフィー ,  シンクロトロン放射 ,  物理蒸着 ,  *窒化アルミニウム ,  単結晶 ,  Burgersベクトル ,  基板 ,  *転位【結晶】 ,  転位密度 ,  気相成長 ,  化合物半導体 ,  単結晶基板 ,  *格子欠陥
準シソーラス用語： シンクロトロン放射X線 ,  物理気相蒸着 ,  物理気相成長法 ,  *AlN ,  気相輸送法

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (40件)：

• S. Inoue, N. Tamari, and M. Taniguchi, Appl. Phys. Lett. 110, 141106 (2017).
• T. Kinoshita et al., Appl. Phys. Express 8, 061003 (2015).
• S. Fujita, Japan. J. Appl. Phys. 54, 030101 (2015).
• Y. Liu and J. Zhang, Physica B 405, 1643 (2010).
• B. Liu, J. Gao, K. Wu, and C. Liu, Solid State Commun. 149, 715 (2009).

タイトルに関連する用語 (11件)： シンクロトロン ,  X線トポグラフィー ,  物理 ,  気相 ,  輸送 ,  成長 ,  AlN ,  単結晶基板 ,  転位 ,  アレイ ,  観察