特許

J-GLOBAL ID：201903000809123580

表示装置

発明者： 山崎 舜平 ,  岸田 英幸
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-088062
公開番号（公開出願番号）：特開2018-142722
特許番号：特許第6595657号
出願日： 2018年05月01日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ゲート電極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上の、InとGaとZnとを有する酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と接続するソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と接続される画素電極と、を有し、 前記酸化物半導体層は、1×1018atoms/cm3以下の濃度でハロゲン元素を含み、 前記酸化物半導体層は、真性である表示装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 27/1156 ( 201 7.01)

FI (3件)：

H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 27/115

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-284538   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-022077   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体薄膜および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-152317   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所