特許

J-GLOBAL ID：201903001212074917

リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

発明者： ビュネン、フランシスクス、ゴデフリドゥス、キャスパー ,  デン ボエフ、アリー、ジェフリー ,  ファン ハレン、リチャード、ヨハネス、フランシスクス ,  ティンネマンス、パトリシウス、アロイシウス、ヤコブス ,  イプマ、アレクサンダー ,  リュリナ、イリナ、アナトリエヴナ ,  フルセボス、エド、マリア ,  セクリ、ハッキ、エルグン ,  リュウ、シン、ラン ,  フェルヘース、レオク、ヨハネス、ペトルス ,  カラド、ヴィクター、エマヌエル ,  ファン ディユク、レオン、パウル
出願人/特許権者： エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
代理人 (2件)： 森下 賢樹 ,  青木 武司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-501863
特許番号：特許第6568298号
出願日： 2016年06月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数であるS枚の基板の変形を特徴付ける方法であって、各基板は複数であるm個のアライメントマークを備え、当該方法は、 -前記複数であるS枚の基板の各基板について、 -前記複数であるS枚の基板の各基板上の前記複数であるm個のアライメントマークのそれぞれについて、 -複数であるn個の異なるアライメント測定パラメータλのそれぞれについて、個々のアライメントマークの位置を個々のアライメント測定パラメータを用いて測定し、各基板上の個々のアライメントマークについてn個のアライメントマーク位置測定を取得するステップと、 -前記複数であるn個の異なるアライメント測定パラメータλのそれぞれについて、前記n個のアライメントマーク位置測定と名目上のアライメントマーク位置との間の差としての位置偏差を決定し、各基板の個々のアライメントマークについてn個の位置偏差を取得するステップと、を実行するステップと、 -前記位置偏差を複数のデータセットにグループ化するステップと、 -平均データセットを決定するステップと、 -前記平均データセットから前記複数のデータセットのそれぞれを減算し、複数の可変データセットを取得するステップと、 -主成分分析といったブラインドソース分離法を前記可変データセットに実行し、前記可変データセットを当該可変データセットの主成分を表す固有ウェハのセットに分解するステップと、 -前記固有ウェハのセットをマーク変形固有ウェハのセットおよび基板変形固有ウェハのセットに細分化するステップと、を備えることを特徴とする方法。

IPC (1件)：

G03F 7/20 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G03F 7/20 521 ,  G03F 7/20 501

引用特許：

審査官引用 (4件)

• オーバレイ測定方法、リソグラフィ装置、検査装置、処理装置、及びリソグラフィ処理セル
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2012-515422   出願人：エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
• メトロロジ方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2013-538197   出願人：エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
• 向上したプロセス制御のための品質測定値を提供するための方法およびシステム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-503952   出願人：ケーエルエー-テンカーコーポレイション
• リソグラフィ装置、リソグラフィ方法及び物品製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-094636   出願人：キヤノン株式会社