特許

J-GLOBAL ID：201903002393473733

光装置

発明者： 石井 啓之 ,  大礒 義孝 ,  小林 亘 ,  藤澤 剛
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人北海道大学
代理人 (3件)： 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-095997
公開番号（公開出願番号）：特開2019-201162
出願日： 2018年05月18日
公開日（公表日）： 2019年11月21日
要約：

【課題】光源として用いる半導体から構成された光装置を、より広帯域化する。【解決手段】量子井戸構造の活性部101を備え、活性部101は、InGaAlAsから構成された井戸層111と、炭素をドーピングしてp型としたInGaAlAsから構成されて井戸層111を挾む障壁層112とから構成されている。また、n型のInPからなる第1クラッド層102の上に、n型のInGaAlAsからなる第1光閉じ込め層103を形成し、第1光閉じ込め層103の上に活性部101を形成している。また、活性部101の上には、p型のInGaAlAsからなる第2光閉じ込め層104を形成し、この上に、p型のInPからなる第2クラッド層105を形成している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

量子井戸構造の活性部を備える光装置であって、 前記活性部は、 InGaAlAsから構成された井戸層と、 炭素をドーピングしてp型としたInGaAlAsから構成されて前記井戸層を挾む障壁層と を備えることを特徴とする光装置。

IPC (4件)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/12 ,  G02F 1/017

FI (5件)：

H01S5/343 ,  H01S5/026 616 ,  H01S5/12 ,  H01S5/026 610 ,  G02F1/017 503

Fターム (23件)：

2K102AA20 ,  2K102BA02 ,  2K102BB01 ,  2K102BC04 ,  2K102BD01 ,  2K102DA05 ,  2K102DA08 ,  2K102DA11 ,  2K102DD03 ,  2K102EA02 ,  2K102EB20 ,  2K102EB29 ,  5F173AA22 ,  5F173AB13 ,  5F173AD14 ,  5F173AD16 ,  5F173AD30 ,  5F173AF04 ,  5F173AF18 ,  5F173AH30 ,  5F173AJ06 ,  5F173AJ45 ,  5F173AR36

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-152780   出願人：三菱電機株式会社
• 化合物半導体結晶及び化合物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-130265   出願人：三菱化学株式会社
• 半導体光素子及び光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-415251   出願人：株式会社日立製作所, 日本オプネクスト株式会社
• 光半導体デバイス、および光半導体デバイスを製造する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-022166   出願人：住友電気工業株式会社
• 光半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-071998   出願人：富士通株式会社
• 光モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-077037   出願人：三菱電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Carbon-doped InAI(Ga)As for high speed laser diode"