特許
J-GLOBAL ID：201603013832898835
光半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 高橋 英樹
, 久野 淑己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-152780
公開番号（公開出願番号）：特開2016-031970
出願日： 2014年07月28日
公開日（公表日）： 2016年03月07日
要約：
【課題】高速動作と高出力化を両立することができる光半導体装置を得る。【解決手段】メサストライプ構造2は、順に積層されたn型InPクラッド層3、活性層4、及びp型InPクラッド層5を有する。埋込層7がメサストライプ構造2の両側に埋め込まれている。活性層4は、井戸層と、炭素が添加されたバリア層とを有する多重量子井戸構造である。埋込層7は、順に積層されたp型InP層10と、FeドープInP層11とを有する。n型InPクラッド層3の側面は、p型InP層10で覆われてFeドープInP層11に接していない。活性層4の側面は、p型InP層10に接していない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
順に積層されたn型クラッド層、活性層、及びp型クラッド層を有するメサストライプ構造と、
前記メサストライプ構造の両側に埋め込まれた埋込層とを備え、
前記活性層は、井戸層と、炭素が添加されたバリア層とを有する多重量子井戸構造であり、
前記埋込層は、順に積層されたp型半導体層と、Fe又はRuドープの高抵抗半導体層とを有し、
前記n型クラッド層の側面は、前記p型半導体層で覆われて前記高抵抗半導体層に接しておらず、
前記活性層の側面は、前記p型半導体層に接していないことを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 5/227
, H01S 5/12
, H01S 5/34
H01S5/227
, H01S5/12
, H01S5/34
5F173AA26
, 5F173AA32
, 5F173AA47
, 5F173AA48
, 5F173AB13
, 5F173AF03
, 5F173AF18
, 5F173AF98
, 5F173AG24
, 5F173AH14
, 5F173AJ06
, 5F173AJ23
, 5F173AJ30
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP35
, 5F173AP36
, 5F173AP82
, 5F173AR14
, 5F173AR24
, 5F173AR36
, 5F173AR80
