特許
J-GLOBAL ID：200903031275720478
半導体光素子及び光モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-415251
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175295
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 InGaAlAs系の埋め込み型レーザでは素子特性の向上が期待されるが、活性層にAlを含むことから、再成長界面に欠陥が発生し、光通信で必要とされる長期信頼性を実現することが困難であった。【解決手段】 再成長層の結晶とAl組成の関係を詳細に検討し、Al組成を低減した引っ張り歪の量子井戸層を用いることにより、素子特性の向上と長期信頼性を実現した。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
InP基板と、前記InP基板上部に量子井戸構造で構成された活性領域と、前記活性領域の上下に光ガイド層と、クラッド層を有し、光の出射方向と交差する方向の側面において、前記活性領域の側面が前記量子井戸層のバンドギャップエネルギーより大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体層で埋め込まれており、前記量子井戸層のAl組成が0≦Al組成比≦0.13のInGaAlAsなる化合物半導体層の群から選ばれた少なくとも一者からなることを特徴とする半導体光素子。
IPC (3件)：
H01S5/227
, H01L23/02
, H01S5/34
H01S5/227
, H01L23/02 F
, H01S5/34
5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073BA02
, 5F073BA03
, 5F073CA15
, 5F073CB02
, 5F073CB14
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA24
, 5F073DA30
, 5F073EA23
, 5F073EA28
, 5F073EA29
, 5F073FA02
, 5F073FA29
, 5F073FA30
出願人引用 (1件)
審査官引用 (12件)
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