特許
J-GLOBAL ID：200903016682806230

光半導体素子

発明者：
江川 満

江川 満 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-071998
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260109
出願日： 2004年03月15日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】光半導体素子に関し、メサの一部を構成するp型半導体層と該メサを埋め込む半絶縁性埋め込み層との間でドーパントの相互拡散がなく、従って、優れた特性を維持できるSIBH型光半導体素子を提供しようとする。【解決手段】基板上の半導体積層構造に形成されたメサ構造を半導体層で埋め込んだ埋め込みヘテロ構造型光半導体素子に於いて、該メサ構造内に含まれたCドープp型InAlAsクラッド層16と、該メサ構造の側面のうち少なくともCドープp型InAlAsクラッド層16の領域を埋め込むFeドープ半絶縁性InP埋め込み層18とを備える。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
III-V族半導体基板上の半導体積層構造に形成されたメサ構造を半導体層で埋め込んだ埋め込みヘテロ構造型光半導体素子に於いて、 該メサ構造内に含まれた炭素(C)ドープp型 III-V族半導体層と、 該メサ構造の側面のうち少なくとも該Cドープp型 III-V族半導体層の領域を埋め込む半絶縁性半導体層と を備えてなることを特徴とする光半導体素子。
IPC (1件)：
H01S5/227
FI (1件)：
H01S5/227
Fターム (7件)：
5F173AA23 ,  5F173AH30 ,  5F173AJ06 ,  5F173AJ23 ,  5F173AJ30 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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