単結晶ダイヤモンド基板を含む積層体

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：田中順也 , 水谷馨也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-004027
公開番号（公開出願番号）：特開2019-125639
出願日： 2018年01月15日
公開日（公表日）： 2019年07月25日
要約：

【課題】接合境界部を有する単結晶ダイヤモンド基板を用いているにも拘わらず、当該接合境界部を有効に利用した、新規な積層体を提供する。【解決手段】接合境界部を有する単結晶ダイヤモンド基板の上に、少なくとも半導体ドリフト層が積層された積層体であって、前記単結晶ダイヤモンド基板の前記接合境界部は、レーザ励起波長785nmでのラマンスペクトルにおいて、ダイヤモンドに起因する1332cm-1付近のピークの半値全幅が、前記接合境界部とは異なる部分でのピーク半値全幅よりも広がって観察される部分であり、前記接合境界部の幅が200μm以上であり、少なくとも前記接合境界部の上に、前記半導体ドリフト層が積層されている、積層体。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

接合境界部を有する単結晶ダイヤモンド基板の上に、少なくとも半導体ドリフト層が積層された積層体であって、前記単結晶ダイヤモンド基板の前記接合境界部は、レーザ励起波長785nmでのラマンスペクトルにおいて、ダイヤモンドに起因する1332cm-1付近のピークの半値全幅が、前記接合境界部とは異なる部分でのピーク半値全幅よりも広がって観察される部分であり、前記接合境界部の幅が200μm以上であり、少なくとも前記接合境界部の上に、前記半導体ドリフト層が積層されている、積層体。

IPC (9件)：

H01L 21/20 , C30B 29/04 , C30B 25/20 , C23C 16/27 , C23C 16/01 , H01L 21/31 , H01L 21/265 , H01L 21/205 , H01L 29/872

FI (11件)：

H01L21/20 , C30B29/04 P , C30B25/20 , C30B29/04 E , C23C16/27 , C23C16/01 , H01L21/31 C , H01L21/265 Q , H01L21/265 Z , H01L21/205 , H01L29/86 301D

Fターム (46件)：

4G077AA03 , 4G077AB08 , 4G077AB10 , 4G077BA03 , 4G077DB06 , 4G077DB16 , 4G077EB01 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB01 , 4G077TB07 , 4G077TC13 , 4G077TE01 , 4G077TE03 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 4G077TK10 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030FA17 , 4K030LA12 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC07 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF11 , 5F152LL04 , 5F152LP08 , 5F152MM02 , 5F152MM03 , 5F152NN02 , 5F152NP02 , 5F152NQ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

エピタキシャル基板の製造方法、半導体素子の製造方法、及びエピタキシャル基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-251585 出願人：株式会社東芝
ダイヤモンド基板にショットキーダイオードを製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2016-509522 出願人：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク, ユニヴェルシテジョセフフーリエ, インスティチュートポリテクニックデグレノーブル
ダイヤモンドのエッチング方法、ダイヤモンドの結晶欠陥の検出方法、およびダイヤモンド結晶の結晶成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-259658 出願人：一般財団法人ファインセラミックスセンター, 国立研究開発法人産業技術総合研究所

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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