特許
J-GLOBAL ID：201903003028734591

積層構造体および半導体装置

発明者：
松田 時宜

松田 時宜 について

, 
四戸 孝

四戸 孝 について

, 
人羅 俊実

人羅 俊実 について


出願人/特許権者：
株式会社FLOSFIA

株式会社FLOSFIA について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-191609
公開番号（公開出願番号）：特開2019-009405
出願日： 2017年09月29日
公開日（公表日）： 2019年01月17日
要約：
【課題】高温高周波特性等の半導体特性に優れた積層構造体およびその半導体装置を提供する。【解決手段】ε型の酸化物半導体結晶(ε-Ga2O3など)を主成分とする第1の半導体膜と、第1の半導体膜の主成分とは異なる組成の酸化物半導体結晶(ε-(AlGa)2O3など)を主成分とする第2の半導体膜とが積層されている積層構造体を、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)などの半導体装置のヘテロ接合構造に用いる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ε型の酸化物半導体結晶を主成分とする第1の半導体膜と、第1の半導体膜の主成分とは異なる組成のε型の酸化物半導体結晶を主成分とする第2の半導体膜とが積層されていることを特徴とする積層構造体。
IPC (10件)：
H01L 21/368 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  C23C 16/40 ,  C30B 29/16 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205
FI (7件)：
H01L21/368 Z ,  H01L29/80 H ,  H01L29/72 H ,  C23C16/40 ,  C30B29/16 ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/205
Fターム (83件)：
4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB01 ,  4G077EF01 ,  4G077HA12 ,  4K030AA02 ,  4K030AA14 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA12 ,  5F003BA92 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BM00 ,  5F003BP31 ,  5F045AA00 ,  5F045AB40 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE01 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045AF01 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ06 ,  5F045EE01 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB05 ,  5F053BB13 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053FF02 ,  5F053GG02 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK01 ,  5F053KK02 ,  5F053KK10 ,  5F053LL10 ,  5F053RR20 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK01 ,  5F102GL01 ,  5F102GM01 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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