特許
J-GLOBAL ID：201903021351920254

ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法

発明者：
生田目 俊秀

生田目 俊秀 について

, 
色川 芳宏

色川 芳宏 について

, 
三石 和貴

三石 和貴 について

, 
木本 浩司

木本 浩司 について

, 
小出 康夫

小出 康夫 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人物質・材料研究機構

国立研究開発法人物質・材料研究機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-120352
公開番号（公開出願番号）：特開2019-012826
出願日： 2018年06月26日
公開日（公表日）： 2019年01月24日
要約：
【課題】素子間リーク電流や素子間抵抗、容量の問題の少ない半導体装置を製造するのに好適で結晶欠陥の少ない高品質なガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置の提供。【解決手段】GaN単結晶上にガリウム酸化膜およびGaN膜が順次積層された半導体基板またはその半導体基板構成による半導体装置であって、ガリウム酸化膜はGaN単結晶の結晶格子と面内格子定数aが整合したガリウム酸化物結晶を50体積%以上100体積%以下含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のGaN(窒化ガリウム)の単結晶上に、ガリウム酸化物結晶の膜および第2のGaNが順次積層された、ガリウム窒化物半導体基板。
IPC (7件)：
H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 31/10
FI (6件)：
H01L21/20 ,  C30B29/38 D ,  H01L21/76 L ,  H01L27/146 C ,  H01L29/78 301B ,  H01L31/10 A
Fターム (77件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA01 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC12 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CA07 ,  4M118CB01 ,  4M118DD04 ,  4M118EA01 ,  4M118GA02 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ10 ,  5F140CB04 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL08 ,  5F152LL09 ,  5F152MM04 ,  5F152MM12 ,  5F152NN09 ,  5F152NP12 ,  5F152NP27 ,  5F152NQ09 ,  5F849AA02 ,  5F849AB07 ,  5F849BA14 ,  5F849BA15 ,  5F849BB03 ,  5F849CB04 ,  5F849CB14 ,  5F849DA05 ,  5F849EA04 ,  5F849EA05 ,  5F849FA05 ,  5F849FA16 ,  5F849GA06 ,  5F849GA11 ,  5F849XB08 ,  5F849XB18
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Epitaxial growth of phase-pure ε-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy

前のページに戻る

TOP

BOTTOM