窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-120489
公開番号（公開出願番号）：特開2019-012827
出願日： 2018年06月26日
公開日（公表日）： 2019年01月24日
要約：

【課題】半導体層と絶縁体層との界面特性が優れている窒化ガリウム系半導体を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100が、窒化ガリウムを含む半導体層101と、ゲート電極105と、半導体層101とゲート電極105との間に設けられた絶縁体層102とを備え、窒化ガリウムは単結晶であり、絶縁体層102が、半導体層101に隣接する部分において、酸化ガリウムの結晶を含む第1の絶縁膜103を少なくとも有し、酸化ガリウムの結晶は、窒化ガリウムの結晶格子と面内格子定数aが整合している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化ガリウムを含む半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられた絶縁体層とを備え、前記窒化ガリウムは単結晶であり、前記絶縁体層が、前記半導体層に隣接する部分において、酸化ガリウムの結晶を含む第1の絶縁膜を少なくとも有し、前記酸化ガリウムの結晶は、前記窒化ガリウムの結晶格子と面内格子定数aが整合している、半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/337 , H01L 21/338 , H01L 29/808 , H01L 29/812 , H01L 29/12 , H01L 21/316

FI (12件)：

H01L29/78 301B , H01L29/80 V , H01L29/78 652T , H01L29/78 652D , H01L29/78 652B , H01L29/78 652J , H01L29/78 658E , H01L29/78 658A , H01L21/316 M , H01L21/316 C , H01L21/316 U , H01L21/316 X

Fターム (52件)：

5F058BC03 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF02 , 5F058BF17 , 5F058BF20 , 5F058BF62 , 5F058BF69 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC07 , 5F102GD10 , 5F102GJ04 , 5F102GL04 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F140AC23 , 5F140BA06 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BB15 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG40 , 5F140BH49 , 5F140BJ03 , 5F140BJ04 , 5F140BJ07 , 5F140BJ10 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK08 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK25 , 5F140CE02 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-230365 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-139636 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
ε-Ga2O3単結晶、ε-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-121248 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

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