特許

J-GLOBAL ID：201903003504175091

エッチング方法およびエッチング装置

発明者： 清水 昭貴 ,  宇田 秀一郎 ,  齊藤 剛 ,  加藤 大輝
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-128222
公開番号（公開出願番号）：特開2019-012759
出願日： 2017年06月30日
公開日（公表日）： 2019年01月24日
要約：

【課題】専用の装置を用いることなく、かつ表面酸化を生じさせることなく、窒化シリコン(SiN)膜を選択的にエッチングする。【解決手段】窒化シリコン膜を選択的にエッチングする方法は、窒化シリコン膜を有する被処理基板を処理空間に配置する第1の工程と、処理空間にHとFを含むガスを導入する第2の工程と、処理空間に不活性ガスのラジカルを選択的に導入する第3の工程とを有する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

窒化シリコン膜を選択的にエッチングする方法であって、 前記窒化シリコン膜を有する被処理基板を処理空間に配置する第1の工程と、 前記処理空間にHとFを含むガスを導入する第2の工程と、 前記処理空間に不活性ガスのラジカルを選択的に導入する第3の工程とを有する、方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/302 301 ,  H01L21/302 101C

Fターム (32件)：

2G084AA02 ,  2G084AA13 ,  2G084CC12 ,  2G084CC13 ,  2G084CC33 ,  2G084DD03 ,  2G084DD13 ,  2G084DD55 ,  2G084FF19 ,  2G084FF31 ,  2G084FF36 ,  5F004AA05 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA20 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB07 ,  5F004EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不活性ガスから生成される準安定ガスを使用する原子層エッチング
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-521657   出願人：ラムリサーチコーポレーション
• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-130232   出願人：株式会社日立製作所
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-019114   出願人：東京エレクトロン株式会社
• エッチング装置、エッチング方法、および基板載置機構
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-216557   出願人：東京エレクトロン株式会社